资料简介
20世纪50年代初期,电子学中半导体材料崛起,观察到半导体的电性能与杂质含量有关。由于重金属杂质具有电活性,严重降低单晶硅中载流子寿命,所以其含量需在1ng/g或0.1ng/g以下,测定杂质含量在10-6%—10-8%或更低。半导体材料使人们认识到痕量元素在超纯材料中的重要性,从而开辟了痕量分析的新时代。
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