ES0S3是針對科研和工業(yè)環(huán)境中薄膜測量領域推出的波長掃描式高精度多入射角光譜橢偏儀，此系列儀器的波長范圍覆蓋紫外、可見、近紅外、到遠紅外。

ESS03采用寬光譜光源結合掃描單色儀的方式實現(xiàn)高光譜分辨的橢偏測量。

ESS03系列多入射角光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構參數(shù)（如，膜層厚度、表面微粗糙度等）和光學參數(shù)（如，折射率n、消光系數(shù)k、復介電常數(shù)ε等），也可用于測量塊狀材料的光學參數(shù)。

ESS03系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發(fā)。

技術特點：

• 極寬的光譜范圍

  采用寬光譜光源、寬光譜掃描德系統(tǒng)光學設計，保證了儀器在極寬的光譜范圍下都具有高準確度，非常適合于對光譜范圍要求極其嚴格的場合。

• 靈活的測量設置

  儀器的多個關鍵參數(shù)可根據(jù)要求而設定（包括：波長范圍、掃描步距、入射角度等），*地提高了測量的靈活性，可以勝任要求苛刻的樣品。

• 原子層量級的檢測靈敏度

  *的采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質量的設計和制造工藝實現(xiàn)并保證了能夠測量原子層量級地納米薄膜，膜厚精度達到0.05nm。

• 非常經(jīng)濟的技術方案

  采用較經(jīng)濟的寬光譜光源結合掃描單色儀的方式實現(xiàn)高光譜分辨的橢偏測量，儀器整體成本得到有效降低。

   

應用領域：

ESS03系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發(fā)。

ESS03適合很大范圍的材料種類，包括對介質材料、聚合物、半導體、金屬等的實時和非實時檢測，光譜范圍覆蓋半導體地臨界點，這對于測量和控制合成的半導體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍（從次納米量級到10微米左右）。

ESS03可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數(shù)k。應用領域包括：微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁介質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。

薄膜相關應用涉及物理、化學、信息、環(huán)保等，典型應用如：

• 半導體：如：介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜，激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等）；
• 平板顯示：TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等；
• 功能性涂料：增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學涂層，以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等；
• 生物和化學工程：有機薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等。
• 節(jié)能環(huán)保領域：LOW-E玻璃等。

ESS03系列也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。應用領域包括：固體（金屬、半導體、介質等），或液體（純凈物或混合物）。典型應用包括：

• 玻璃新品研發(fā)和質量控制等。

技術指標：

    注：(1)測量重復性：是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續(xù)測量30次所計算的標準差。