Prisma 掃描電子顯微鏡FEI電鏡是一款簡單易用的一體化 SEM。Prisma 提供*的成像和分析性能，*的環境掃描模式 (ESEM™ )以及多種配件，使其成為完善的鎢燈絲SEM。

Prisma具有出色的分辨率，其三種獨立的成 像模式（高真空、低真空和ESEM™ )提供了大的靈活性，可適 應用的較廣泛的樣品，包括脫氣的、無法鍍膜的或其他無法 在高真空下觀察的樣品。

當今的學術和工業研究實驗室，希望SEM能夠從較廣泛的樣品中獲得大量數據，并提供出色的圖像質量。由于大多數實驗室都是由多 用戶來操作SEM ,所以對于具有不同經驗級別的操作人員而言，設 備的易用性非常重要。Prisma具有出色的分辨率，其三種獨立的成 像模式（高真空、低真空和ESEM™ )提供了大的靈活性，可適 應用的較廣泛的樣品，包括脫氣的、無法鍍膜的或其他無法 在高真空下觀察的樣品。SE、DBS、STEM、CL等探測器，能夠提 供所有必要的樣品信息。這些探測器可以同時采集和顯示不同探測 器信號，并在短的時間內提供探測和結果。此外，ESEM™可以 在實際條件下對樣品進行原位研究，如液體環境、加熱'含水或原 位反應等各種實驗條件。Prisma還可以搭載一系列由軟件集成控制 的原位樣品臺，執行和控制動態實驗。

Prisma 掃描電子顯微鏡FEI電鏡的分析型超大樣品室能滿足對元素（EDS、WDS )和晶體 (EBSD )樣品數據日益増長的需求，樣品室支持多個EDS檢測器， 以增加探測效率并消除陰影效應。此外，分析型樣品室支持共面 EDS/EBSD和平行電子束WDS的幾何角度，以確保所有技術的jia空間獲取位置。由于出色的原位檢測能力，Prisma™能夠對絕緣樣品或高溫下的樣品實現可靠的分析。

由于多用戶操作設備要求所有實驗數據由對電鏡有不同熟悉程度的人員獲得，同時要盡量減少所需的培訓時間，因此設備易用性至關重要。Prisma™帶有xin的基于Windows 10操作系統的xT用戶界 面，包括用戶指導功能，這一功能能夠幫助和引導用戶與SEM直接 交互。此外，它還包含完整的"撤消"功能，鼓勵新手用戶安心地進 行實驗，而專家用戶可以通過這一功能輕松縮短獲得結果的時間，Prisma™還支持掃描預設、相機導骯和SmartSCAN™功能， 以進一步提高工作效率、數據質量和易用性。對于日常工作，Prisma™可以通過使用強大的基于Python的腳本工具 Autoscript對操作進行自動化運行。

這些*的*性能與多用途配件的*結合，使得Prisma™成為兼顧科學研究和失效分析的、面向所有行業或領域的較為全面的 SEM。

主要優點：

1、材料自然狀態下的原位研究：比013?提 供*的環境掃描模式（ESEM )

2、大限度地縮短樣品制備要求：低真空和 ESEM能力，可實現^導電和/或含水樣品的 無荷電成像和分析

3、強大的原位分析：通過專門的原位分析樣品 臺，能夠實現-165°C至1400°C范圍內的原位分析

4、優異的分析能力：在一個樣品室內可同時使用3個EDS探測器（2個處于180°對 位）、WDS和共面EDS/EBSD

5、非導電性樣品的出色分析：在低真空條件模式下，可以實現高質量的EDS和EBSD分析

6、高精度的真中心樣品臺，可以實現大 105。的傾轉，適合各種樣品的多角度觀察，尤其是高起伏和拓撲結構樣品

7、易于使用，直觀的軟件：具有用戶指導和撤消功能，使新手用戶可以進行高效操作，同時使專家用戶能夠更快速地完成工作，并減少鼠標點擊次數

8、多種選配附件：包括可伸縮的RGB CL探測器' 1100°C高真空加熱臺、uHeater加熱 臺和AutoScript-基于Python的腳本工具 (API)

典型應用：                                                    

納米表征：

1、金屬及合金、氧化/腐蝕、斷口、焊點、拋光斷面、磁性及 超輔斗

2、陶瓷、復合材料、塑料、薄膜/涂層 

3、地質樣品斷面、礦物

4、軟物質：聚合物、藥物、過濾膜、凝膠、生物組織、植物材 料

5、顆粒、多?料、纖維 原麵呈分析 

6、增濕/去濕 

7、浸潤行為/接觸角分析 

8、氧麵蝕

9、拉伸(伴隨加熱或冷卻）

10、結晶/相變

主要參數：

電子光學：

具有雙陽極源發射幾何結構的高性能熱發射SEM鏡筒 

固定目標光圈，便于操作

45。物鏡幾何電子光學

通過穿分抽氣系統，少電子束裙，實現較精確的分析和大分辨率

備率：

高真空：

-30 kV時為3.0 nm (SE)

-30 kV時為4.0 nm (BSE)*

-3 kV時為8.0 nm (SE)

高真空減速模式：

-3 kV時為07 nm (BD模式* + DBS*)

低真空：

-30kV時為3.0nm(SE)                 

-30kV時為4.0nm(BSE)

-3kV時為 10nm(SE)

環境真空：

-30 kV時為3.0 nm (SE)

電子束參數：              

電子束電流范圍：高達2uA ,連續可調

加速電壓范圍：200 V - 30 kV 

放大倍數：6至1,000,000x