頻光電導少子壽命測試儀/ 型號：KDK-LT-1

1、 用途

用于硅、鍺單晶的少數載子壽命測量，除需要有個測量平面外，對樣塊體形無嚴格要求，可測塊狀和片狀單晶壽命。壽命測量可靈敏地反映單晶體內重金屬雜質污染及缺陷存在的情況，是單晶質量的重要檢測項目。

2、少子壽命測試儀 設備組成

2.1、光脈沖發生裝置

重復頻率＞25次/s      脈寬＞60μｓ          光脈沖關斷時間＜0.2-1μｓ

紅外光源波長：1.06～1.09μm（測量硅單晶）   脈沖電：5A～20A

如測量鍺單晶壽命需配置適當波長的光源
2.2、頻源

頻率：30MHz       低輸出阻抗      輸出率＞1W

2.3、放大器和檢波器

頻率響應：2Hz～2MHz

2.4、配用示波器

配用示波器：頻帶寬度不低于40MHz，Y軸增益及掃描速度均應連續可調。

3、測量范圍

KDK-LT-1可測硅單晶的電阻率范圍：ρ≥3Ω·㎝（歐姆·厘米）,壽命值的測量范圍：5～6000μｓ

重復頻率＞25次/s      脈寬＞60μｓ          光脈沖關斷時間＜0.2-1μｓ

紅外光源波長：1.06～1.09μm（測量硅單晶）   脈沖電：5A～20A

如測量鍺單晶壽命需配置適當波長的光源
2.2、頻源

頻率：30MHz       低輸出阻抗      輸出率＞1W

2.3、放大器和檢波器

頻率響應：2Hz～2MHz

2.4、配用示波器

配用示波器：頻帶寬度不低于40MHz，Y軸增益及掃描速度均應連續可調。

3、測量范圍

KDK-LT-1可測硅單晶的電阻率范圍：ρ≥3Ω·㎝（歐姆·厘米）,壽命值的測量范圍：5～6000μｓ