產地類別 | 進口 | 應用領域 | 化工,農業,石油,能源,電氣 |
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力士樂放大板VT-VRPA1-527-1X/V0/PV-RTP
放大器是能把輸入訊號的電壓或功率放大的裝置,由電子管或晶體管、電源變壓器和其他電器元件組成。用在通訊、廣播、雷達、電視、自動控制等各種裝置中。
增加信號幅度或功率的裝置,它是自動化技術工具中處理信號的重要元件。放大器的放大作用是用輸入信號控制能源來實現的,放大所需功耗由能源提供。對于線性放大器,輸出就是輸入信號的復現和增強。對于非線性放大器,輸出則與輸入信號成一定函數關系。放大器按所處理信號物理量分為機械放大器、機電
放大器
放大器、電子放大器、液動放大器和氣動放大器等,其中用得*泛的是電子放大器。隨著射流技術(見射流元件)的推廣,液動或氣動放大器的應用也逐漸增多。電子放大器又按所用有源器件分為真空管放大器、晶體管放大器、固體放大器和磁放大器,其中又以晶體管放大器應用*。在自動化儀表中晶體管放大器常用于信號的電壓放大和電流放大,主要形式有單端放大和推挽放大。此外,還常用于阻抗匹配、隔離、電流-電壓轉換、電荷-電壓轉換(如電荷放大器)以及利用放大器實現輸出與輸入之間的一定函數關系(如運算放大器)。
公司主營產品
液壓元件
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工控電氣
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力士樂放大板VT-VRPA1-527-1X/V0/PV-RTP
力士樂放大器現貨
德國力士樂放大器液壓產品,氣動產品,柱塞泵A10VSO,伺服閥,放大器,馬達等產品,現貨多價格優。
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前置放大器是指置于信源與放大器級之間的電路或電子設備,例如置于光盤播放機與高級音響系統功率放大器之間的音頻前置放大器。前置放大器是專為接收來自信源的微弱電壓信號而設計的,已接收的信號先以較小的增益放大,有時甚至在傳送到功率放大器級之前便先行加以調節或修正,如音頻前置放大器可先將信號加以均衡及進行音調控制。無論為家庭音響系統還是PDA設計前置放大器,都要面對一個十分頭疼的問題,即究竟應該采用哪些元件才恰當?
元件選擇原則
由于運算放大器集成電路體積小巧、因此目前許多前置放大器都采用這類運算放大器芯片。我們為音響系統設計前置放大器電路時,必須清楚知道如何為運算放大器選定適當的技術規格。在設計過程中,系統設計工程師經常會面臨以下問題。
1、是否有必要采用高精度的運算放大器?
輸入信號電平振幅可能會超過運算放大器的錯誤容限,這并非運算放大器所能接受。若輸入信號或共模電壓太微弱,設計師應該采用補償電壓(Vos)極低而共模抑制比(CMRR)高精度運算放大器。是否采用高精度運算放大器取決于系統設計需要達到多少倍的放大增益,增益越大,便越需要采用較高準確度的運算放大器。
2、運算放大器需要什么樣的供電電壓?
這個問題要看輸入信號的動態電壓范圍、系統整體供電電壓大小以及輸出要求才可決定,但不同電源的不同電源抑制比(PSRR)會影響運算放大器的準確性,其中以采用電池供電的系統所受影響最大。此外,功耗大小也與內部電路的靜態電流及供電電壓有直接的關系。
3、輸出電壓是否需要滿擺幅?
低供電電壓設計通常都需要滿擺幅的輸出,以便充分利用整個動態電壓范圍,以擴大輸出信號擺幅。至于滿擺幅輸入的問題,運算放大器電路的配置會有自己的解決辦法。由于前置放大器一般都采用反相或非反相放大器配置,因此輸入無需滿擺幅,原因是共模電壓(Vcm)永遠小于輸出范圍或等于零(只有極少例外,例如設有浮動接地的單供電電壓運算放大器)。
4、增益帶寬的問題是否更令人憂慮?
是的,尤其是對于音頻前置放大器來說,這是一個非常令人憂慮的問題。由于人類聽覺只能察覺大約由20Hz至20kHz頻率范圍的聲音,因此部分工程師設計音頻系統時會忽略或輕視這個“范圍較窄”的帶寬。事實上,體現音頻器件性能的重要技術參數如低總諧波失真(THD)、快速轉換率(slew rate)以及低噪聲等都是高增益帶寬放大器所必須具備的條件。
深入了解噪聲
在設計低噪聲前置放大器之前,工程師必須仔細審視源自放大器的噪聲,一般來說,運算放大器的噪聲主要來自四個方面:
1、熱噪聲 (Johnson):由于電導體內電流的電子能量不規則波動產生的具有寬帶特性的熱噪聲,其電壓均方根值的正方與帶寬、電導體電阻及絕對溫度有直接的關系。對于電阻及晶體管(例如雙極及場效應晶體管)來說,由于其電阻值并非為零,因此這類噪聲影響不能忽視。
2、閃爍噪聲(低頻):由于晶體表面不斷產生或整合載流子而產生的噪聲。在低頻范圍內,這類閃爍以低頻噪聲的形態出現,一旦進入高頻范圍,這些噪聲便會變成“白噪聲”。閃爍噪聲大多集中在低頻范圍,對電阻器及半導體會造成干擾,而雙極芯片所受的干擾比場效應晶體管大。
3、射擊噪聲(肖特基):肖特基噪聲由半導體內具有粒子特性的電流載流子所產生,其電流的均方根值正方與芯片的平均偏壓電流及帶寬有直接的關系。這種噪聲具有寬帶的特性。
4、爆玉米噪聲(popcorn frequency):半導體的表面若受到污染便會產生這種噪聲,其影響長達幾毫秒至幾秒,噪聲產生的原因仍然未明,在正常情況下,并無一定的模式。生產半導體時若采用較為潔凈的工藝,會有助減少這類噪聲。
此外,由于不同運算放大器的輸入級采用不同的結構,因此晶體管結構上的差異令不同放大器的噪聲量也大不相同。下面是兩個具體例子。
1、雙極輸入運算放大器的噪聲:噪聲電壓主要由電阻的熱噪聲以及輸入基極電流的高頻區射擊噪聲所造成,低頻噪聲電平大小取決于流入電阻的輸入晶體管基極電流產生的低頻噪聲;噪聲電流主要由輸入基極電流的射擊噪聲及電阻的低頻噪聲所產生。
2、CMOS 輸入運算放大器的噪聲:噪聲電壓主要由高頻區通道電阻的熱噪聲及低頻區的低頻噪聲所造成,CMOS放大器的轉角頻率(corner frequency)比雙極放大器高,而寬帶噪聲也遠比雙極放大器高;噪聲電流主要由輸入門極漏電的射擊噪聲所產生,CMOS放大器的噪聲電流遠比雙極放大器低,但溫度每升高10(C,其噪聲電流便會增加約40%。
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