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化工儀器網>產品展廳>實驗室常用設備>制樣/消解設備>電子束刻蝕系統>Trion 等離子蝕刻ICP

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Trion 等離子蝕刻ICP

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First-Nano System GmbH 

  • 2003年          創立于德國德累斯頓工業大學(Dresden University of Technology)

  • 2008年          香港成立德國韋氏納米系統(香港)有限公司   

  • 2015年          上海成立德國韋氏納米系統(香港)有限公司中國代表處,負責中國區業務

  • 2018年          深圳正式成立韋氏納米系統(深圳)有限公司,更好的為中國南方區市場

     

德國韋氏納米系統成立以來,一直為客戶想的更多,Thinking more !!!

 

產品范圍:

薄膜沉積/Thin Film Deposition 
E-Beam and Thermal Evaporation, PECVD, PLD, DLC, DC & RF Sputtering, Ion Beam Sputtering
刻蝕/Etching
RIE, DRIE, ICP, Ion Beam Milling, RIBE, Plasma, ALE
薄膜制程/Growth
ALD, PA-MOCVD, CNT, Graphene
表面處理/Surface Treatment
Ion Beam, PIII, Plasma Cleaner, RTP
清洗/Cleaning
- Dry: Ion Beam, Plasma Cleaner
- Wet: Megasonic, 杜邦EKC清洗液
其他/Other,
Device Testing System for Space Simulation, Heated Platens, Plasma Sources, Resist Stripping Systems

等離子清洗機,均膠機,薄膜沉積,刻蝕

Minilock-Phantom III具有預真空室的反應離子刻蝕機

可適用于單個基片或帶承片盤的基片(3”- 300mm尺寸),為實驗室和試制線生產環境提供*的刻蝕能力。它也具有多尺寸批處理功能(4x3”; 3x4”; 7x2”)。

 

      系統有多達七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜,如氧化硅、氮化硅、多晶硅、鋁、砷化鎵、鉻、銅、磷化銦和鈦。該反應室還可以用于去除光刻膠和有機材料。可選配靜電吸盤(E-chuck),以便更有效地在刻蝕工藝中讓基片保持冷卻。該E-chuck使用氦壓力控制器,及在基片背面保持一個氦冷卻層,從而達到控制基片溫度的作用。
該設備可選配一個電感耦合等離子(ICP)源,其使得用戶可以創建高密度等離子,從而提高刻蝕速率和各向異性等刻蝕性能。
基片通過預真空室裝入。其避免與工藝室以及任意殘余刻蝕副產品接觸,從而提高了用戶安全性。預真空室還使得工藝室始終保持在真空下,從而隔絕外部濕氣,防止反應室內可能發生的腐蝕。



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