佰力博高溫四探針測試儀采用*雙電測四探針測量原理，專門用于評估半導體薄膜和薄片的導電性能，該系統采用直排四探針測量原理和單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準設計研發，可以實現高溫、真空及惰性氣氛條件下測量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率和硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導電玻璃（ITO）和其它導電薄膜的方塊電阻。高溫測量過程中，控溫精度可達到±1℃。

雙電測組合

目前雙電測組合（亦稱雙位組合）四探針法有三種模式：I13V24和I14V23模式（1），I12V34和I14V23模式（2），I12V34和I13V24模式（3），HRMS-800高溫四探針測試儀采用模式（2），通過用計算機對三種模式的理論進行比較研究的結果證明：對無窮大被測片三種模式都一樣，可是測量小片或大片邊緣位置時，模式（2）更好，它能自動消除邊界影響，略優于模式（3），更好于模式（1）

技術參數

規格特點：

★ 可以實現常溫、高溫、真空、氣氛條件下測量半導體薄膜材料的電學性能；

★ 可以測量半導體薄膜和薄片材料的方塊電阻、電阻率；

★ 可以實現常溫、變溫、恒溫條件的I-V、R-T、R-t等測量功能；

★ 可以通過輸入樣品的面積和厚度，軟件自動計算樣品的電阻率ρv；

★ 可以分析電阻率ρv與溫度T的變化曲線；

★ 集成一體化設計，觸摸屏控制和顯示，具有的易用性；

★ 可以自動調節施加在樣品的測試電壓，以防樣品擊穿；

★ 進口纖維一體開模鑄造的高溫爐膛，最高耐溫1100℃，配有超溫報警電路；

★ 耐高溫四探針夾具，碳化鎢探針，99氧化鋁陶瓷絕緣；

★ 可以通過USB傳輸數據，數據格式為Excel格式。