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GBT 1409-2006 介電常數(shù)及介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀

參考價(jià) 10000
訂貨量 ≥1
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

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上海皆準(zhǔn)儀器設(shè)備有限公司是一家集研發(fā)、制造、銷售、服務(wù)一體的綜合性實(shí)驗(yàn)室儀器設(shè)備企業(yè),企業(yè)坐落于上海嘉定安亭鎮(zhèn)、毗鄰于美麗的蘇州河畔,近幾年公司借助上海嘉定“安亭國(guó)際汽車城”的東風(fēng),企業(yè)也得到了高速發(fā)展

我們的產(chǎn)品有:差示掃描量熱儀、熱重分析儀、同步熱分析儀、差熱分析儀、熔點(diǎn)儀、熔指儀、負(fù)荷熱變形維卡軟化點(diǎn)溫度測(cè)試儀、導(dǎo)熱儀、膨脹儀、比熱容測(cè)試儀等系列熱分析儀儀器以及碳黑含量、分散度測(cè)試儀,材料耐燃燒性能試驗(yàn)箱,材料耐環(huán)境老化試驗(yàn)箱,材料力學(xué)性能試驗(yàn)機(jī)等等二十多個(gè)系列產(chǎn)品。

產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于塑料、橡膠、金屬材料及其制品企業(yè)實(shí)驗(yàn)室、各大計(jì)量質(zhì)檢機(jī)構(gòu)、科研院所及高等大專院校。

公司以行業(yè)高素質(zhì)的技術(shù)人才為本,以先進(jìn)的科學(xué)技術(shù)為依托,并借鑒國(guó)內(nèi)外的先進(jìn)技術(shù),同時(shí)與國(guó)內(nèi)大專院校,科研院所,生產(chǎn)企業(yè)密切合作,數(shù)十年如一日深耕實(shí)驗(yàn)室儀器行業(yè),始終如一致力于塑料、橡膠、金屬材料性能檢測(cè)設(shè)備的研制、開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)。企業(yè)自創(chuàng)辦以來(lái)一直以“科技興企,創(chuàng)新求實(shí),客戶至上,真誠(chéng)待人,踏實(shí)做事!”為經(jīng)營(yíng)方針,我們一直把客戶當(dāng)成合作伙伴,“給客戶提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品貼心的服務(wù)”是我們永遠(yuǎn)不變的初心!

經(jīng)過(guò)數(shù)十載的發(fā)展與完善公司組建的專業(yè)的售前、售中、售后服務(wù)團(tuán)隊(duì)24小時(shí)為您服務(wù),服務(wù)熱線:4006704588。

 

差示掃描量熱儀,熱重分析儀,同步熱分析儀,熔體流動(dòng)速率儀,熔點(diǎn)儀,碳黑檢測(cè)設(shè)備,熱變形溫度測(cè)試儀,維卡軟化點(diǎn)測(cè)試儀,硬度計(jì),試驗(yàn)機(jī)

產(chǎn)地類別 國(guó)產(chǎn) 價(jià)格區(qū)間 1萬(wàn)-2萬(wàn)
應(yīng)用領(lǐng)域 化工,電子,交通,汽車,電氣

一、概述

介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);該儀器用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無(wú)機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。

二、測(cè)試原理

介電常數(shù)及介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)作為儀器的控制,測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定,諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至ZUI低,并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測(cè)量值更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。

三、滿足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法

 

儀器組成:

介電常數(shù)及介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀由S916測(cè)試裝置(夾具)、高頻Q表、數(shù)據(jù)采集和tanδ自動(dòng)測(cè)量控件(裝入Q表中的軟件模塊)、及LKI-1型電感器組成。依據(jù)國(guó)標(biāo)GB/T 1409-2006、GB/T 1693-2007、美標(biāo)ASTM D150以及國(guó)際電工委員會(huì)IEC60250的規(guī)定設(shè)計(jì)制作。系統(tǒng)提供了絕緣材料的高頻介質(zhì)損耗角正切值(tanδ)和介電常數(shù)(ε)自動(dòng)測(cè)量的最佳解決方案。本儀器中測(cè)試裝置是由平板電容器組成,平板電容器一般用來(lái)夾被測(cè)樣品,配用Q表作為指示儀器。絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放入平板電容器和不放樣品的Q值變化和厚度的刻度讀數(shù)通過(guò)公式計(jì)算得到。通過(guò)數(shù)字Q表具有自動(dòng)計(jì)算介電常數(shù)(ε)和介質(zhì)損耗(tanδ)。

 

主機(jī)Q表技術(shù)參數(shù):

Q標(biāo)規(guī)格

Q表1

標(biāo)配默認(rèn)出貨

Q表2

Q表3

信號(hào)源

DDS數(shù)字合成信號(hào)

DDS數(shù)字合成信號(hào)

DDS數(shù)字合成信號(hào)

頻率范圍

10KHZ-70MHz

10KHZ-100MHz

100KHZ-160MHz

信號(hào)源頻率精度

1×10-6 ±1

3×10-5 ±1   

3×10-5 ±1  

Q測(cè)量范圍

1-1023自動(dòng)/手動(dòng)

1-1023自動(dòng)/手動(dòng)

1-1023自動(dòng)/手動(dòng)

Q值量程分檔

30 100 300 1000 自動(dòng)換擋或手動(dòng)換擋

30 100 300 1000 自動(dòng)換擋或手動(dòng)換擋

30 100 300 1000 自動(dòng)換擋或手動(dòng)換擋

電感范圍

4.5NH-10MH

4.5NH-10MH

1nH-140mH

主電容調(diào)節(jié)范圍

30-500pF

30-540pF

主電容17-240pF

電容直接測(cè)量范圍

1-460pF

1-460pF

1pF~25nF

調(diào)諧電容誤差分辨率

±1.5 pF 150PF以下;150PF以上±1%

±1.5 pF 150PF以下; 150PF以上±1%

±1.5 pF 150PF以下;150PF以上±1%

Q合格指示預(yù)置功能范圍

5-1000

5-1000

5-1000

Q量程切換

自動(dòng)/手動(dòng)

自動(dòng)/手動(dòng)

自動(dòng)/手動(dòng)

  

測(cè)試裝置(夾具)技術(shù)參數(shù):

本測(cè)試裝置是由二只測(cè)微電容器組成,平板電容器一般用來(lái)夾持被測(cè)樣品,園筒電容器是一只分辨率高達(dá)0.0033pF的線性可變電容器,配用儀器作為指示儀器,絕緣材料的損耗角正切值是通過(guò)被測(cè)樣品放進(jìn)平板電容器和不放進(jìn)樣品的Q值變化,由園筒電容器的刻度讀值變化值而換算得到的。同時(shí),由平板電容器的刻度讀值變化而換算得到介電常數(shù)。

測(cè)試裝置規(guī)格

固體:材料測(cè)量直徑 Φ50mm/Φ38mm 可選;厚度可調(diào) ≥ 15mm (二選一)  

液體:測(cè)量極片直徑 Φ38mm; 液體杯內(nèi)徑Φ48mm 、深7mm(選配)

 

 

LKI-1電感組技術(shù)參數(shù)

電感No

電感量

準(zhǔn)確度%

Q值≥

分布電容約略值

諧振頻率范圍 MHz

適合介電常數(shù)測(cè)試頻率

Q表1/2

Q表3

1

0.1μH

±0.05μH

200

5pF

20~70

31~103

50MHz

2

0.5μH

±0.05μH

200

5pF

10~37

14.8~46.6

15MHz

3

2.5μH

±5%

200

5pF

4.6~17.4

6.8~21.4

10MHz

4

10μH

±5%

200

6pF

2.3~8.6

3.4~10.55

5MHz

5

50μH

±5%

200

6pF

1~3.75

1.5~4.55

1.5MHz

6

100μH

±5%

200

6pF

0.75~2.64

1.06~3.20

1MHz

7

1mH

±5%

150

8pF

0.23~0.84

0.34~1.02

0.5MHz

8

5mH

±5%

130

8pF

0.1~0.33

0.148~0.39

0.25MHz

9

10mH

±5%

90

8pF

0.072~0.26

0.107~0.32

0.1MHz

 




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