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6MBI60FA-060 FUJITSU富士通芯片存储器库存大量甩卖

具体成交价以合同协议为准

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上海菱联自动化控制技术有限公司是一家专注于工业自动化产品销售及其工程设计的科技企业，公司下设技术研发部，市场销售部，商务物流部，财务部等专职部门，公司专业经营伺服电机、运动控制器、变频器、PLC、传感器、触摸屏、减速机、电磁阀、编码器、小马达、张力纠偏控制等产品，因良好的技术支持和服务，在华东地区取得了较大的
目前我们经销的优势产品主要如下：

三菱Mitsubishi、伦茨Lenze、科比Keb、科普里Copley、美国Pcb、飞管PKE、尤尼帕斯Unipulse、西威Siei、甲南konan、威纶Weinview、派克Parker、斯德博Stober、三桥Mitsuhashi、WEST、A-B、山武Azbil、松下Panasonic、西门子Siemens、欧姆龙Omron、施耐德Schneider、ABB、 富士Fuji、泛达Pan-Globe、普传Powtran、普洛菲斯Pro-face、迈克彼恩Ls、安川Yaskawa、费斯托Festo、和泉Idec、穆勒Moeller、基恩士keyence、EVCO、西门康Semikron、菲尼克斯Phoenix、海泰克Hitech、山宇sanyu、东方马达Orientalmoto、魏德米勒Weidmulle、 倍加福P+F、罗斯蒙特Rosemount、恩德斯·豪斯E+H、图尔克Turck、横河Yokogawa、博世力士乐BoschRexroth、爱默生Emerson、神视Sunx、霍尼韦尔Honeywell、英国C-T、奥托尼克斯Autonics、诺冠Norgren、贺德克Hydac、贺斯曼Hirschmann、尼利可Nireco、 泽村Sawamura、Rs oemax 、保罗PORA、明纬M-W、丹佛斯Danfoss、三垦Sanken，SMC、施迈赛Schmersal、施克Sick、巴鲁夫Balluff等。

我们以为设备制造厂家提供整体自动化解决方案闻名，尤其以运动控制技术见长。


在包装机械、印刷机械、纺织机械、橡塑机械、造纸机械、制药机械、建筑机械、空调制冷设备、水处理设备、汽车生产线、机床数控、钢铁煤炭电力设备等行业有着广泛的市场资源和成熟稳定的客户群。公司和国内外许多公司建立了业务联系并成为其常年机电产品供应商和合作伙伴，超优的价格，良好的信誉，周到快捷的服务和售前售后的技术支持，让您买的顺心用的称心。我们的优势体现在价格在市场上有极大的优势，库存充足，品种齐全，交货及时以外，对于客户某些特殊产品甚至国内非常稀缺的产品，我司基本都有现货或者订货周期短的优势。同时，向用户提供全面的技术支持和高效、快捷的售后维修服务，解决了客户的后顾之忧。

我公司服务宗旨：“质量保证，诚信服务，坚持承诺，到位及时






上海菱联自动化控制技术有限公司是一家专注于工业自动化产品销售及其工程设计的科技企业，公司下设技术研发部，市场销售部，商务物流部，财务部等专职部门，公司专业经营伺服电机、运动控制器、变频器、PLC、传感器、触摸屏、减速机、电磁阀、编码器、小马达、张力纠偏控制等产品，因良好的技术支持和服务，在华东地区取得了较大的度。

品牌 FUJITSU 型号 6MBI60FA-060
产地 日本 库存数量 108825片
单位 片 发货方法 快递
参数 详见说明书 工作环境温度范围 -40°C至+125°C

FUJITSU富士通芯片存储器库存大量甩卖6MBI60FA-060 我们的优势：存储器是现代信息系统最关键的组件之一，已经形成主要由DRAM与NAND Flash构成的超千亿美元的市场。随着万物智联时代的到来，

人工智能、智能汽车等新兴应用场景对存储提出了更高的性能要求，促使新型存储器迅速发展，影响未来存储器市场格局。目前，

新型存储器主要有4种：相变存储器（PCM），铁电存储器（FeRAM），磁性存储器（MRAM）和阻变存储器（ReRAM）。

其中，FeRAM是一种理想的存储器，在计算机、航天航空、军工等领域具有广阔的应用前景，世界上许多大的半导体公司对此都十分重视。

代理品牌富士通半导体正在批量生产具有快速数据传输功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。这种非易失性存储器可以在最大 108MHz 的工

作频率下实现每秒 54MByte 的数据传输率，并具有四个 I/O 引脚的 Quad SPI 接口(图1)。本产品具有高速运算和非易失性的特点，

非常适合用于需要快速数据重写的可编程逻辑控制器(PLC)和路由器等工业计算和网络设备。

20 多年来，富士通半导体已量产的 FeRAM 产品，与 EEPROM 和闪存相比，具有更高的读写耐久性、更快的写入速度和更低的功耗。到目前为止，这些高可靠性产品已成功应用于工业、基础设施、消费和汽车领域。

FUJITSU富士通芯片存储器库存大量甩卖6MBI60FA-060 提供各产品信息服务:此外，一些客户一直在要求 FeRAM 可以在非易失性存储器的同时进行快速数据传输。我们很高兴能够通过 Quad SPI 4Mbit FeRAM 产品满足这一要求。

MB85RQ4ML采用Quad SPI接口和1.8V电源电压，在108MHz工作频率下数据传输速率为54MB/s。在此产品发布之前，

具有 16 个 I/O 引脚的并行接口的 4Mbit FeRAM 是最快的 FeRAM，具有 13MB/s 的数据传输速度。然而，MB85RQ4ML

只有四个 I/O 管脚，读写数据大约是并行接口 FeRAM 的 4 倍(图3)。 其封装为 16pin SOP，封装尺寸为 7.5mm x 10.3mm。

数据传输率比较

如果您在产品中使用闪存、EEPROM 或低功耗 SRAM，并且遇到以下任何问题，请考虑使用富士通半导体的 FeRAM 解决方案。

状态：使用闪存 问题：由于写入耐久性较低，软件开发负担较大

闪存保证几十万次的写周期。如果数据被多次写入内存中的同一区域，该区域很快就会达到保证写入周期时间的上限。

因此，设计工程师必须开发一种名为“wear leveling”的软件来分配内存区域中的写入位置，以使数据不会多次写入同一位置。

软件开发的工作量对设计工程师来说是一个非常大的负担。而 FeRAM 保证 10 万亿次读/写周期，并且数据可以像低功耗 SRAM 一样被覆盖到内存区域。

这些功能有助于设计工程师，因为工程师不需要开发复杂的数据写入软件，例如磨损均衡

磨损均衡示意图

状态：使用 EEPROM 问题：数据写入时间较长

EEPROM 即使是 8 位数据写入也有 5ms 的写入周期时间，因为它除了写入操作之外还包括擦除操作。另一方面，FeRAM 具有较短的写入时间，例如在 8 位数据写入时为数百纳秒，因为它不需要擦除操作（图5）。此外，带有 SPI 接口的 EEPROM 在最高 20MHz 的工作频率下具有 2.5Mbyte/s 的数据传输率。而富士通半导体的 Quad SPI FeRAM 有 54Mbyte/s，是 EEPROM 的 20 倍以上。

写入时间比较

状态：使用 SRAM 问题：难以取出电池并减少组件安装面积

低功耗 SRAM 需要电池来保存数据以保存写入的数据，但由于非易失性存储器，FeRAM 不需要电池。然后，由于 SRAM 有 16 个 I/O 引脚，许多 SRAM 采用 44pin TSOP 封装形式，但 MB85RQ4ML 采用 16pin SOP 封装，具有 4 个 I/O 引脚。这意味着，如果您将 SRAM 替换为 FeRAM，您可以通过移除电池并使用更小的封装来减少 77% 的内存安装面积

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MB96345YSAPQC-GSE2

MB96345YWAPMC-GSE2

MB96345YWAPQC-GSE2

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MB85RS128B

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MB85RC512T

MB85RC256V

MB85RC128A

MB85RC64TA

MB85RC64A

MB85RC64V

MB85RC16

MB85RC16V

MB85RC04

MB85RC04V

MB85R8M1TA

MB85R8M2TA

MB85R8M2T

MB85R4M2T

MB85R4001A

MB85R4002A

MB85R1001A

MB85R1002A

MB85R256F

MB85AS12MT

MB85AS8MT














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