1. 产品概述

可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺，兼容200mm以下所有尺寸的晶圆，快速更换到不同尺寸的晶圆工艺，电极的适用温度范围宽，-150°C至400°C。反应性离子刻蚀 （reaction ionetching；RIE）是制作半导体集成电路的蚀刻工艺之一。在除去不需要的集成电路板上的保护膜时，利用反应性气体的离子束，切断保护膜物质的化学键，使之产生低分子物质，挥发或游离出板面，这样的方法称为反应性离子刻蚀。

2. 设备用途/原理

III-V族材料刻蚀工艺；

固体激光器 InP刻蚀；

VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀；

射频器件低损伤 GaN刻蚀；

类金刚石 （DLC） 沉积；

二氧化硅和石英刻蚀；

用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺，可处理封装好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圆用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀。