1. 产品概述

离子注入机是高压小型加速器中的一种，应用数量最多。它是由离子源得到所需要的离子，经过加速得到几百千电子伏能量的离子束流，用做半导体材料、大规模集成电路和器件的离子注入，还用于金属材料表面改性和制膜等。

2. 设备特点

单价离子大加速能量≥200keV，并增加减速系统实现单价离子在5keV~200keV的能量范围

可用于2、3、4、6、8英寸晶圆以及不规则碎片

可注入B、P、As、Al、S、H、Mg、Si离子

注入剂量精准度≤1.5%

离子注入剂量范围：1×1011 at/cm2～1×1016 at/cm2

离子源部分：离子源、离子源气体系统和离子源引出系统

离子源系统搭载5套从固体蒸发源产生离子的Vaporizer，温度达700℃，实现固态源的离子注入

离子注入倾斜角度在0°和7°

室温台：0°和7°；高温台：0°

束流调整系统主要包括：质量分析器、束流汇聚系统、加速系统、扫描系统、束流检测和高压绝缘变压器

真空系统主要包括：Ion Source真空系统、Beam Line真空系统、End Station真空系统、真空系统中的真空管件和阀门以及真空检测单元

真空度：

Ion Source真空度：≤7×10-4Pa

Beam Line真空度：≤7×10-5Pa

End Station真空度：≤7×10-5Pa