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化工仪器网>产品展厅>半导体行业专用仪器>湿法工艺设备>化学机械抛光机(CMP)>customized 化学机械抛光机CMP

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customized 化学机械抛光机CMP

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深圳市矢量科学仪器有限公司是集半导体仪器装备代理及技术服务的高新技术企业。

致力于提供半导体前道制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试设备、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。

公司目前已授实用新型权利 29 项,软件著作权 14 项,是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。








冷热台,快速退火炉,光刻机,纳米压印、磁控溅射,电子束蒸发

1. 产品概述:

MCF 的化学机械抛光机 CMP 是一种用于半导体制造等领域的关键设备,主要通过机械研磨和化学液体溶解 “腐蚀” 的综合作用,对半导体材料(如晶圆)进行研磨抛光,以实现材料表面的平坦化处理,为后续的半导体器件制造工序(如光刻、蚀刻等)提供高质量的平整表面。

2. 设备应用

· 半导体集成电路制造:在半导体芯片的生产过程中,用于对晶圆进行平坦化抛光,确保晶圆表面的平整度和光洁度,满足芯片制造中对多层结构和精细线路的要求,例如在逻辑芯片、存储芯片等的制造中,CMP 是实现高性能芯片的重要工艺环节。

· 其他电子元件制造:对于一些对表面平整度要求较高的电子元件,如光电器件、MEMS 器件等,该化学机械抛光机也可用于其制造过程中的表面处理,提升元件的性能和可靠性。

3. 设备特点

1. 该化学机械抛光机可用于各类半导体集成电路、氧化物、金属、STI、SOI等产品的CMP平坦化抛光。 通过更换抛光头可兼容4、6、8英寸晶圆

2. 系统功能:手动上下片,程序自动进行抛光,配有终点监测装置,配置半自动loading & unloading托盘系统,8寸规格,方便8寸晶圆上下片

3. 抛光数据监测:具有摩擦力监测功能

4. 配备红外温度计实时监测抛光过程中抛光垫表面温度

4. 产品参数

1. 抛光盘直径≥20inch(508mm) 转速范围:30-200rpm

2. 抛光头wafer加压方式:气囊加压,带有背压功能

3. wafer压力控制范围:70-500g/cm2

4. 保持环压力控制范围:70-700g/cm2

5. 抛光头转速范围:30-200rpm 摆动幅度:±10mm

6. 抛光液供应系统:3个可调流量蠕动泵供液,3路独立的抛光液通道,滴液位置可调

7. 配置摩擦力&温度终点监控系统:含专用监测软件,带有End point detection功能

8. 控制系统:PC工控机控制,触摸屏操作,可存储20个加工程序,加工程序最多可设6个不同加工阶段

9. 均匀性 (1sigma,EE(Edge Exclusion):5mm)

片内非均匀性WIWNU≤5%

片间非均匀性WTWNU5%

实际参数可能会因设备的具体配置和定制需求而有所不同。








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