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化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>物理特性分析儀器>熱分析儀器>其它熱分析儀> 熱電薄膜塞貝克參數(shù)測(cè)試儀

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熱電薄膜塞貝克參數(shù)測(cè)試儀

參考價(jià) 450000
訂貨量 ≥1臺(tái)
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 北京銳雪科技有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號(hào)
  • 產(chǎn)地
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間 2024/7/15 18:56:49
  • 訪問(wèn)次數(shù) 773

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北京銳雪科技有限公司致力于研發(fā),生產(chǎn)及銷售高校科研實(shí)驗(yàn)、工業(yè)開發(fā) 、生產(chǎn)測(cè)試檢測(cè)類儀器設(shè)備。

  主要提供:化學(xué)材料行業(yè)整套設(shè)備方案有機(jī)合成設(shè)備、器件制備、晶體生長(zhǎng)設(shè)備、真空設(shè)備、傳感器解決方案、實(shí)驗(yàn)室分析儀器、器件測(cè)試設(shè)備、電子測(cè)試類通用儀器儀表及非標(biāo)自動(dòng)化測(cè)試方案等。

  銳雪科技在北京、深圳設(shè)立辦公室,在長(zhǎng)沙設(shè)立了測(cè)試實(shí)驗(yàn)室,專為半導(dǎo)體微納器件、晶圓級(jí)測(cè)試和微波射頻提供系統(tǒng)集成方案,從表征、建模、可靠性測(cè)試和設(shè)計(jì)調(diào)試到資格認(rèn)證和生產(chǎn)測(cè)試的整個(gè) IC 生命周期中的基本測(cè)試和測(cè)量。

  公司是日本ALS,日本常陽(yáng)工學(xué)在中國(guó)區(qū)的總代理,提供有機(jī)光電相關(guān)設(shè)備與中試線定做。目前與北京大學(xué)、中國(guó)石化、航天二院、中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所、北京理工大學(xué)、中山大學(xué)、湖南大學(xué)、天津理工大學(xué)、華南理工大學(xué)、南方科技大學(xué)、浙江大學(xué)、深圳大學(xué)等建立起合作關(guān)系


探針臺(tái),源表,半導(dǎo)體測(cè)試儀,蒸發(fā)鍍膜設(shè)備,蒸發(fā)鍍膜產(chǎn)線,電子測(cè)量

應(yīng)用領(lǐng)域 能源,電子

熱電薄膜塞貝克參數(shù)測(cè)試儀

薄膜熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)MRS-3專門針對(duì)薄膜材料的變溫seebeck系數(shù)和電阻率的測(cè)量?jī)x器,采用動(dòng)態(tài)法和四線法保證測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確和穩(wěn)定,擁有寬廣的測(cè)試范圍和便捷的操作界面。


● 專門針對(duì)薄膜材料的Seebeck系數(shù)和電阻率測(cè)量。

● 測(cè)試環(huán)境溫度范圍達(dá)到81K~700K。

● 采用動(dòng)態(tài)法測(cè) 量Seebeck系數(shù),避免了靜態(tài)測(cè)量在溫差測(cè)量上的系統(tǒng)誤差,測(cè)量更準(zhǔn)確。

真空度≤10Pa

塞貝克系數(shù)測(cè)量范圍:S≥8uV/K;分辨率≤±7

● 采用四線法測(cè)量電阻率。
● 卡箍設(shè)計(jì),方便進(jìn)行樣品更換,提高效率。
● 軟件操作簡(jiǎn)單,智能化可實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)模式。


應(yīng)用

● Seebeck效應(yīng)

● Peltier效應(yīng)


熱電薄膜塞貝克參數(shù)測(cè)試儀產(chǎn)品原理 

1、測(cè) Seebeck 系數(shù)原理:動(dòng)態(tài)法測(cè) Seebeck 系數(shù) 

     測(cè)試過(guò)程中給試樣兩端施加一微小的連續(xù)變化的溫差,( ?T1、?T2 ---?Tn )然后 再采集與之相對(duì)應(yīng)的溫差電勢(shì)( ?V1、 ?V2 --- ?Vn ),在得到這些數(shù)據(jù)后,根據(jù)最小二乘 法、最小殘差法或 BiSquare 法得到測(cè)量樣品的斜率 K,即澤貝克系數(shù)。其斜率即為 Seebeck 系數(shù) S=k(斜率)= dV/d?T 。 


優(yōu)勢(shì): 通過(guò)斜率得到 Seebeck 系數(shù),避免了傳統(tǒng)靜態(tài)法因測(cè)溫和電壓測(cè)量不準(zhǔn), 而帶來(lái)的系統(tǒng)誤差,測(cè)試精度更高,誤差小。 


2、測(cè)量電阻率:采用四線法 

     電阻率:p=V*A/I*L、V、I 分別為檢測(cè)電路中的電流和檢測(cè)端電壓,A、L 分別為塊體材料的通電截面積 (Width*Height)和電位檢測(cè)間距(Span),薄膜樣品與塊體樣品測(cè)量思路是相同。image.png 


優(yōu)勢(shì): 1、消除接觸電阻的影響; 2、消除熱電勢(shì)的影響,進(jìn)一步提高電阻率的測(cè)試結(jié)果。



基本參數(shù):

溫度范圍   100K~700K 

溫控方式   PID 程序控制 

真空度 ≤10Pa(機(jī)械泵);≤1Pa(分子泵) 

測(cè)試氣氛   真空 

測(cè)量范圍   澤貝克系數(shù):|S|≥ 8μV/K;電阻率:0.1μΩ·m~10 6μΩ·m 

分辨率      澤貝克系數(shù):0.05μV/K;電阻率:0.05μΩ·m 

相對(duì)誤差   澤貝克系數(shù) ≤±7%;電阻率 ≤±10% 

測(cè)量模式   自動(dòng) 

樣品尺寸  長(zhǎng)*寬:(10~18)*(2~7)mm,厚度 50nm~2mm



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