美國 IK-TECHNOLOGIES 離子源：NGI3000

LK-Technologies強大，流行的離子源設計用于通過離子濺射清潔表面，光束能量高達3 keV，典型離子電流高達30μA。該噴槍采用了一種新穎的氣體噴射系統，該系統允許在典型的1×10 -6托的腔室壓力下進行濺射。

離子源（英文名稱：Ion source）是使中性原子或分子電離，并從中引出離子束流的裝置。它是各種類型的離子加速器、質譜儀、電磁同位素分離器、離子注入機、離子束刻蝕裝置、離子推進器以及受控聚變裝置中的中性束注入器等設備的部件。

氣體放電、電子束對氣體原子(或分子)的碰撞，帶電粒子束使工作物質濺射以及表面電離過程都能產生離子，并被引出成束。根據不同的使用條件和用途，已研制出多種類型的離子源。使用較廣泛的有弧放電離子源、PIG離子源、雙等離子體離子源和雙彭源這些源都是以氣體放電過程為基礎的,常被籠統地稱為弧源。高頻離子源則是由氣體中的高頻放電來產生離子的，也有廣泛的用途。新型重離子源的出現，使重離子的電荷態顯著提高,其中較成熟的有電子回旋共振離子源(ECR)和電子束離子源(EBIS)。負離子源性能較好的有轉荷型和濺射型兩種。在一定條件下，基于氣體放電過程的各種離子源，都能提供一定的負離子束流。

離子源是一門具有廣泛應用領域的學科，在許多基礎研究領域如原子物理、等離子化學、核物理等研究中，離子源都是十分重要的設備。

美國 IK-TECHNOLOGIES 離子源

氣體注入系統避免了昂貴的差動泵送設備

低室壓下的惰性氣體濺射

寬離子束確保均勻濺射

與普通濺射清潔和ISS應用兼容

連續可調諧的電壓從200 V到3 kV

帶USB或以太網接口的數字控制電子設備