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美國(guó)Lakeshore 低溫探針臺(tái)8-12寸

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低溫探針臺(tái)探針臺(tái)

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昱臣半導(dǎo)體技術(shù)(香港)有限公司是專(zhuān)業(yè)的半導(dǎo)體及微電子領(lǐng)域儀器設(shè)備供應(yīng)商,昱臣半導(dǎo)體技術(shù)(香港)有限公司所代理的儀器設(shè)備廣泛用于高校、研究所、半導(dǎo)體企業(yè)。

昱臣半導(dǎo)體技術(shù)(香港)有限公司目前代理的主要產(chǎn)品包括:

- 霍爾效應(yīng)測(cè)試儀(Hall Effect Measurement System);

- 快速退火爐(RTP);

- 回流焊爐,真空燒結(jié)爐(Reflow Solder System);

- 探針臺(tái)(Probe Station),低溫探針臺(tái)(Cryogenic Probe Station);

- 貼片機(jī)(Die Bonder),劃片機(jī)(Scriber),球焊機(jī)/鍥焊機(jī)(Wire Bonder);

- 原子層沉積系統(tǒng)(ALD),等離子增強(qiáng)原子層沉積設(shè)備(PEALD);

- 磁控濺射鍍膜機(jī)(Sputter),電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)(E-beam Evaporator),熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)(Thermal Evaporator),脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD) ;

- 低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(LPCVD),等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(PECVD),快速熱化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(RTCVD);

- 反應(yīng)離子刻蝕機(jī)(RIE),ICP刻蝕機(jī),等離子體刻蝕機(jī);

- 致冷機(jī)/低溫恒溫器(Cryostat/Cryocooler);

- 加熱臺(tái)、熱板、烤膠臺(tái) (Hot Chuck / Hot Plate);

- 掃描開(kāi)爾文探針系統(tǒng)(Kelvin Probe),光反射膜厚儀(Reflectometer);

- 高溫超導(dǎo)磁體(HTS Magnet),快速場(chǎng)循環(huán)核磁共振弛豫測(cè)試儀(FFC Reflexometer);






原子層沉積系統(tǒng),快速退火爐,PECVD,刻蝕機(jī)

CPX低溫探針臺(tái)采用模塊化設(shè)計(jì)以滿足廣泛實(shí)驗(yàn)的需求,是Lake Shore功能最多的高性能低溫探針臺(tái)。CPX多樣的選件和配置可使研究者完成精確的、富有挑戰(zhàn)性的測(cè)量。CPX具有多個(gè)防輻射屏蔽層,以實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的低溫性能,其低溫選件可使樣品溫度低至1.6 K。探針臺(tái)內(nèi)多個(gè)溫度計(jì)的安裝可確保準(zhǔn)確和重復(fù)的測(cè)量。

 

由于采用了分流設(shè)計(jì),樣品可在防輻射屏冷卻時(shí)保持溫度,與高真空選件,限度地減少了冷卻過(guò)程中的樣品冷凝,這是測(cè)量親水性有機(jī)材料的關(guān)鍵要求。理想的應(yīng)用包括有機(jī)物研究和微波測(cè)量。真空Load Lock可配置用于高通量測(cè)量。此外,CPX可以被配置為能夠在真空下將受控的樣品輸送到腔室。CPX可容納直徑為51 mm(2英寸)的晶圓(最多102 mm[4英寸]可選)。該系統(tǒng)使用液氦或液氮運(yùn)行。


主要特征:

 

√  溫度范圍4.3 K~475 K

√  可選低溫1.9 K/1.6 K

√  標(biāo)準(zhǔn)2英寸(51 mm)樣品,4英寸(102 mm)可定制

√  樣品可面內(nèi)±5°旋轉(zhuǎn)

√  樣品振動(dòng)<30 nm可選

√  超高真空選件

√  可定制真空腔聯(lián)用轉(zhuǎn)移樣品,避免樣品暴露在大氣環(huán)境

√  環(huán)形磁體選件0.19T


設(shè)備參數(shù):


溫度范圍
最多安裝6個(gè)探針臂基礎(chǔ)溫度4.3 K,控制范圍4.4 K ~ 475 K
安裝PS-LT低溫選件基礎(chǔ)溫度1.9 K,控制范圍2 K ~ 475 K
安裝PS-VLT-CPX極低溫選件基礎(chǔ)溫度1.6 K,控制范圍1.65 K ~ 400 K
安裝PS-LL-CPX選件(Load Lock)基礎(chǔ)溫度10 K,控制范圍10 K ~ 400 K
溫度穩(wěn)定性液氦液氮
基礎(chǔ)溫度 (無(wú)加熱控制)±15 mK±20 mK
<10 K±50 mK
10 K ~ 100 K±20 mK±50 mK
101 K ~ 250 K±15 mK±50 mK
251 K ~ 350 K±15 mK±100 mK
351 K ~ 675 K±50 mK±100 mK
真空以TPS-FRG分子泵組為標(biāo)準(zhǔn)PS-HV-CPX高真空選件
抽真空時(shí)間30 min (<1 × 10-3 Torr)10 min (<1 × 10-3 Torr)
室溫<5 × 10-4 Torr<5 × 10-6 Torr
基礎(chǔ)溫度<1 × 10-5 Torr<5 × 10-7 Torr
溫度<1 × 10-5 Torr<5 × 10-7 Torr
循環(huán)時(shí)間
總循環(huán)3 h
抽真空0.5 h
探針臺(tái)冷卻1.25 h
探針臺(tái)升溫2 h
Load Lock樣品更換時(shí)間1小時(shí)(配有PS-LL-CPX選件)
樣品
尺寸51 mm(2英寸)標(biāo)準(zhǔn)
25.4 mm(1英寸)安裝PS-VLT-CPX高真空選件
25.4 mm(1英寸)安裝PS-LL-CPX  Load Lock選件
樣品背光接口不可選
樣品旋轉(zhuǎn)±5°面內(nèi)旋轉(zhuǎn)
樣品振動(dòng)<300 nm標(biāo)準(zhǔn),<30 nm配有PS-PVIS減震選件
探針配置
探針數(shù)6
探針臂溫度計(jì)用于監(jiān)視探針臂的溫度
冷卻探針支架<20 K(樣品在基礎(chǔ)溫度下)
探針支架連接樣品臺(tái)或4K防輻射屏熱沉
探針臂支架連接防輻射屏熱沉
DC/RF探針電絕緣>100GΩ用于低漏電流測(cè)量
微波探針頻率范圍從DC到67GHz
光纖探針可用于電光測(cè)量
落針?lè)秶?/span>所有探針均可在直徑為 25.4 毫米(1 英寸)的圓內(nèi)落針






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