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化工仪器网>产品展厅>半导体行业专用仪器>硅片制备/晶体生长设备>单晶炉>FZ-30和FZ-35 区熔晶体生长系统

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FZ-30和FZ-35 区熔晶体生长系统

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深圳市矢量科学仪器有限公司是集半导体仪器装备代理及技术服务的高新技术企业。

致力于提供半导体前道制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试设备、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。

公司目前已授实用新型权利 29 项,软件著作权 14 项,是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。








冷热台,快速退火炉,光刻机,纳米压印、磁控溅射,电子束蒸发

FZ-30FZ-35区熔晶体生长系统中,可以分别以高达3 bar5 bar的超压产生氩气气体,用以培育大晶体。同时,上主轴和线圈都可实现自动定位。在FZ-30中,上主轴可以在XY方向上移动。两种系统类型都能够以受控方式将氮气引入工艺炉体。PVA TePla为您提供更多个性化选择,例如用于掺杂晶体的气体掺杂系统、封闭式去离子冷却水系统、源棒的修整器和调整籽晶方向的系统。

产品数据概览:

材料:硅

晶体

晶体拉动长度: 2,700 mm

晶体直径: 长达 200 mm (8")

极限真空度: 2.5 x 10-5 mbar

最大过压: FZ-30: 3.0 bar(g)

FZ-35: 5.0 bar(g)

发电机

输出电压: 120 kW

频率: 2.4 MHz

上轴

进料速度: 高达 30 mm/min

上部旋转: 高达 30 rpm

下轴

拉动速度: 最高 30 mm/min

下部旋转: 最高 30 rpm

尺寸规格

高度: 11,550 mm

宽度: 3,800 mm

深度: 4,050 mm

面积(总计): 5,000 x 6,000 mm

重量(总计): 14,000 kg区熔(FZ)技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性,该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入,这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此,几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量(无坩埚工艺),FZ晶体同样也适用于光伏行业。

区熔(FZ)技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比,FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化,无需使用石英坩埚(每炉次耗用一个),可实现高拉速,因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外,无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体,可以通过多次处理,显著地提高纯度。





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