PECVD等離子體增強氣相沉積
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- 公司名稱 上海添時科學(xué)儀器有限公司
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- 更新時間 2024/12/4 13:37:55
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PECVD等離子體增強化學(xué)氣相沉積是一種利用等離子體來促進氣體反應(yīng)的CVD技術(shù)。其特點包括:
1、低溫沉積:PECVD可以在較低的基材溫度下進行,因為等離子體提供的能量能夠促進氣體反應(yīng),降低沉積溫度的需求。
2、高沉積速率:等離子體增強了氣體反應(yīng)速率,從而提高了薄膜沉積速率。
3、良好的膜質(zhì)量:PECVD沉積的薄膜通常具有較好的均勻性和較低的缺陷密度,適用于需要高質(zhì)量薄膜的應(yīng)用。
4、適應(yīng)性強:可以沉積多種材料,包括氧化物、氮化物和氟化物等,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電器件和保護涂層等領(lǐng)域。
5、控制性好:通過調(diào)整等離子體的參數(shù)(如功率、氣體流量和壓力),可以精確控制薄膜的成分和性質(zhì)。
加熱爐參數(shù)
?最高溫度:1200ºC(<30min),連續(xù)工作溫度:1100℃;
?兩個PID溫度控制器及30段可編程溫控系統(tǒng);
?輸入功率:208-240V,單相,最大功率:2.5KW;
?高純氧化鋁纖維保溫層可以最大限度降低能耗;
?回轉(zhuǎn)爐旋轉(zhuǎn)速度:2-10rpm;
?爐體開啟式設(shè)計,以達到對樣品快速降溫,方便更換爐管。
1、低溫沉積:PECVD可以在較低的基材溫度下進行,因為等離子體提供的能量能夠促進氣體反應(yīng),降低沉積溫度的需求。
2、高沉積速率:等離子體增強了氣體反應(yīng)速率,從而提高了薄膜沉積速率。
3、良好的膜質(zhì)量:PECVD沉積的薄膜通常具有較好的均勻性和較低的缺陷密度,適用于需要高質(zhì)量薄膜的應(yīng)用。
4、適應(yīng)性強:可以沉積多種材料,包括氧化物、氮化物和氟化物等,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電器件和保護涂層等領(lǐng)域。
5、控制性好:通過調(diào)整等離子體的參數(shù)(如功率、氣體流量和壓力),可以精確控制薄膜的成分和性質(zhì)。
加熱爐參數(shù)
?最高溫度:1200ºC(<30min),連續(xù)工作溫度:1100℃;
?兩個PID溫度控制器及30段可編程溫控系統(tǒng);
?輸入功率:208-240V,單相,最大功率:2.5KW;
?高純氧化鋁纖維保溫層可以最大限度降低能耗;
?回轉(zhuǎn)爐旋轉(zhuǎn)速度:2-10rpm;
?爐體開啟式設(shè)計,以達到對樣品快速降溫,方便更換爐管。