1.产品概述：

HSE M200主要用于4/6/8英寸深硅干法刻蚀工艺。可以配置手动及自动传输系统。产品配置高密度双立体等离子体源，中心边缘进气，快速气体切换，低频脉冲下电极系统，可以实现高速、高深宽比、高均匀性及极小的侧壁粗糙度。HSE P300主要用于12英寸硅刻蚀。采用Cluster结构布局，能够减小占地，提升产能。系统主要由传输模块、工艺模块、灰区部件、电源柜等组成。可实现自动化地上下料及自动工艺。

2.设备应用：

  HSE M200

晶圆尺寸:

8英寸及以下

适用材料:

硅、SOI、SOG

适用工艺:

深硅刻蚀

适用领域:

微机电系统、科研领域

HSE P300

晶圆尺寸:

8/12英寸兼容

适用材料:

硅、氧化硅、氮化硅

适用工艺:

深槽刻蚀、深孔刻蚀、扇出型封装硅载体刻蚀、露铜刻蚀等

适用领域:

先进封装

 3.设备特点

HSE M200

双等离子源和双区进气，保证高刻蚀均匀性和高刻蚀速率

兼容性强，工艺种类多样，应用领域广泛，系统可靠性强

灵活的系统配置，适合研发、中试线、大规模生产线的不同应用

低拥有成本和运营成本

HSE P300

使用立体高密度等离子源，大幅提升刻蚀速率

双等离子源和双区进气，确保较高的均匀性

全自动化软件控制，高产能

低拥有成本和运营成本