摘要采用激光誘導擊穿光譜法(LIBS)對共蒸發法制備的涂Mo鈉鈣玻璃上的CuIn1-xGaxSe2 (CIGS)吸收層進行了元素分析。研究了LIBS檢測1.23μm厚的CIGS吸收層的激光和檢測參數。Ga/In比值與x射線熒光和電感耦合等離子體發射光譜測量的濃度比值的校準結果具有良好的線性關系。

介紹了LIBS法在CIGS吸收層材料成分分析中的應用。使用Nd:YAG激光器LIBS檢測CIGS薄膜的z+u+i優檢測條件為激光脈沖能量0.9mJ，光斑直徑150μm，門延遲為0.7μs，門寬為3 μs。測定的Ga/In比值LIBS信號與Ga濃度呈良好的線性關系。盡管XRF或ICP-OES測量的參考濃度值存在不確定性，但這些初始數據表明LIBS可以作為CIGS太陽能電池行業中實時監測材料成分的一種可行技術。通過使用已知成分的樣品，可以降低參考濃度的不確定度。