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CIC II-Cell Injury Controller II,CIC II細(xì)胞顱腦損傷儀現(xiàn)貨
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  • CIC II-Cell Injury Controller II,CIC II細(xì)胞顱腦損傷儀現(xiàn)貨

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貨物所在地: 北京北京市
產(chǎn)地: 美國(guó)UVC
更新時(shí)間: 2024-09-21 21:00:07
期: 2024年9月21日--2025年3月21日
已獲點(diǎn)擊: 518
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

細(xì)胞損傷控制儀(CIC)
細(xì)胞損傷控制儀(Cell Injury Controller II)采取電子式控制,適合腦源性細(xì)胞培養(yǎng)樣品,或其它離體培養(yǎng)細(xì)胞的牽張性(strain-induced trauma)損傷模型制作。損傷后可進(jìn)行神經(jīng)生化、形態(tài)學(xué)、生理學(xué),藥物干預(yù)等方面的研究。細(xì)胞損傷控制儀使用Flexcell Int’l corp具有的組織培養(yǎng)系統(tǒng)。細(xì)胞損傷控制儀平均把壓縮氣體送到

詳細(xì)介紹

創(chuàng)傷性腦損傷(traumatic brain injury,TBI)是神經(jīng)外科zui常見(jiàn)的疾病,是導(dǎo)致創(chuàng)傷患者傷殘及死亡的主要原因。研究腦損傷后的神經(jīng)生化、神經(jīng)病理生理等方面的變化,可為探索行之有效的腦保護(hù)治療提供幫助,將有助于提高顱腦損傷患者的生存率及生存質(zhì)量。故建立各種便于觀(guān)察和施加干預(yù)因素、控制性佳、可分級(jí)、可復(fù)制性好并符合人類(lèi)腦創(chuàng)傷特點(diǎn)的創(chuàng)傷性腦損傷模型,是目前創(chuàng)傷性腦損傷的研究熱點(diǎn)。  

VCU動(dòng)物顱腦損傷儀可以分為細(xì)胞損傷控制儀(CIC),電子腦皮質(zhì)挫傷撞擊儀(eCCI)及液壓沖擊損傷儀(FPI)。這三種產(chǎn)品已經(jīng)廣泛應(yīng)用于世界范圍內(nèi)的顱腦創(chuàng)傷研究中心,是目前*的顱腦創(chuàng)傷模型制作的金標(biāo)準(zhǔn)。同時(shí)FPI損傷儀還可應(yīng)用到眼科損傷模型,CIC細(xì)胞損傷儀可以應(yīng)用到其它種類(lèi)細(xì)胞損傷模型的制作。

液壓沖擊損傷儀(FPI) ----現(xiàn)貨,當(dāng)天發(fā)貨  

   
    液壓沖擊損傷儀(Fluid Percussion Injury)是由VCU大學(xué)所制作設(shè)計(jì)的,針對(duì)神經(jīng)創(chuàng)傷機(jī)制研究。成為研究神經(jīng)創(chuàng)傷廣泛使用的儀器,基本的組件是采取的Power coating process技術(shù),鋁制部分的組件都已經(jīng)電鍍以避免氧化且可以長(zhǎng)久使用。液壓沖擊腦損傷儀可以重復(fù)*的產(chǎn)生液壓沖擊損傷(FPI)。

系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn):
可方便的排除氣飽。
角度刻度可方便觀(guān)察撞擊角度。
集成壓基準(zhǔn)力輸出,方便校準(zhǔn)??奢敵鰶_擊壓力。
配備高精度的壓力傳感

    

細(xì)胞損傷控制儀(CIC)----現(xiàn)貨,當(dāng)天發(fā)貨

    細(xì)胞損傷控制儀(Cell Injury Controller II)采取電子式控制,適合腦源性細(xì)胞培養(yǎng)樣品,或其它離體培養(yǎng)細(xì)胞的牽張性(strain-induced trauma)損傷模型制作。損傷后可進(jìn)行神經(jīng)生化、形態(tài)學(xué)、生理學(xué),藥物干預(yù)等方面的研究。細(xì)胞損傷控制儀使用Flexcell Int’l corp具有的組織培養(yǎng)系統(tǒng)。細(xì)胞損傷控制儀平均把壓縮氣體送到每個(gè)培養(yǎng)室,以造成培養(yǎng)組織牽張性的損傷,損傷的嚴(yán)重程度是依靠控制進(jìn)出密閉培養(yǎng)室的氣體量。培養(yǎng)室的峰值壓力同時(shí)被記錄下來(lái),這個(gè)數(shù)值可以用來(lái)地表明引起牽張性細(xì)胞損傷的氣壓值。細(xì)胞損傷控制儀(CIC II)可以搭配Flex I® 29.45cm2 culturing trays I (針對(duì)VCU早期的細(xì)胞損傷控制儀)或BioFlex® 57.75cm2 culturing trays。因?yàn)楦鶕?jù)所采用的細(xì)胞種類(lèi)、損傷的程度、培養(yǎng)的狀況,受損后的細(xì)胞或許會(huì)因?yàn)樯鲜鲆蛩厮劳龌蛐迯?fù),所以VCU的細(xì)胞損傷控制儀(CIC II)很適合應(yīng)用在下列損傷反應(yīng)研究:細(xì)胞受損、修護(hù),死亡,藥物介入。

        
電子腦皮質(zhì)挫傷撞擊儀(eCCI)----現(xiàn)貨,當(dāng)天發(fā)貨

    由VCU大學(xué)所制作設(shè)計(jì)的電子大腦皮質(zhì)挫傷撞擊儀(electric Cortical Contusion Impactor),主要針對(duì)腦皮質(zhì)挫傷模型。是神經(jīng)損傷研究機(jī)構(gòu)的損傷模型制作工具。電子大腦皮質(zhì)挫傷撞擊儀(eCCI)的組件有: 堅(jiān)固的鋁架,動(dòng)物平臺(tái),撞擊控制器和撞擊頭。動(dòng)物平臺(tái)可以和各種立體定位儀搭配使用。eCCI電子大腦皮質(zhì)挫傷撞擊儀使用高級(jí)的線(xiàn)性馬達(dá)驅(qū)動(dòng)撞擊頭,并由控制器來(lái)控制撞擊參數(shù),實(shí)現(xiàn)不同程度的損傷。撞擊頭的組件部分有含感應(yīng)器,可以確定速率、撞擊深度及撞擊停留。這些撞擊參數(shù)*可以重復(fù)實(shí)現(xiàn)。
    與傳統(tǒng)Feeney's自由落體硬膜外撞擊方法相比有以下優(yōu)點(diǎn):
    可連續(xù)的控制撞擊速度,并獲得實(shí)際撞擊深度和停留時(shí)間等參數(shù)。而非重量差異很大的撞擊。由于可控制撞擊速度和獲得實(shí)際撞擊結(jié)果參數(shù),eCCI電子大腦皮質(zhì)挫傷撞擊儀可以重復(fù)制作挫傷損傷模型。減少動(dòng)物死亡。使實(shí)驗(yàn)過(guò)程更加直觀(guān),可控。

 

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