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腦外傷打擊裝置-腦外傷打擊裝置,自由落體打擊器、液壓打擊器、CCI現貨
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貨物所在地: 北京北京市
地: 美國VCU
更新時間: 2024-10-13 21:00:28
期: 2024年10月13日--2025年4月13日
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產品簡介

VCU創傷性顱腦損傷儀

創傷性腦損傷(traumatic brain injury,TBI)是神經外科Z常見的疾病,是導致創傷患者傷殘及死亡的主要原因。研究腦損傷后的神經生化、神經病理生理等方面的變化,可為探索行之有效的腦保護治療提供幫助,將有助于提高顱腦損傷患者的生存率及生存質量。故建立各種便于觀察和施加干預因素、控制性佳、可分級、可復制性好并符合人類腦創傷特點的創傷性腦損傷模型,是目前創傷性

詳細介紹

細胞損傷控制儀(CIC)

    細胞損傷控制儀(Cell Injury Controller II)采取電子式控制,適合腦源性細胞培養樣品,或其它離體培養細胞的牽張性(strain-induced trauma)損傷模型制作。損傷后可進行神經生化、形態學、生理學,藥物干預等方面的研究。細胞損傷控制儀使用Flexcell Int’l corp具有的組織培養系統。細胞損傷控制儀平均把壓縮氣體送到每個培養室,以造成培養組織牽張性的損傷,損傷的嚴重程度是依靠控制進出密閉培養室的氣體量。培養室的峰值壓力同時被記錄下來,這個數值可以用來地表明引起牽張性細胞損傷的氣壓值。細胞損傷控制儀(CIC II)可以搭配Flex I® 29.45cm2 culturing trays I (針對VCU早期的細胞損傷控制儀)或BioFlex® 57.75cm2 culturing trays。因為根據所采用的細胞種類、損傷的程度、培養的狀況,受損后的細胞或許會因為上述因素死亡或修復,所以VCU的細胞損傷控制儀(CIC II)很適合應用在下列損傷反應研究:細胞受損、修護,死亡,藥物介入。

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