帶RIE等離子刻蝕機是干法刻蝕中zui常見的一種形式，其原理是暴露在電子區域的氣體形成等離子體，由此產生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過電場加速時，會釋放足夠的力量與表面驅逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。某種程度來講，等離子清洗實質上是等離子體刻蝕的一種較輕微的情況。進行干式蝕刻工藝的設備包括反應室、電源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應室。氣體被導入并與等離子體進行交換。等離子體在工件表面發生反應，反應的揮發性副產物被真空泵抽走。等離子體刻蝕工藝實際上便是一種反應性等離子工藝。 直接模式——基片可以直接放置在電極托架或是底座托架上，以獲得zui大的平面刻蝕效果。
定向模式——需要非等向性刻蝕（anisotropic etching）的基片可以放置在特制的平面托架上。
下游模式——基片可以放置在不帶電托架上，以便取得微小的等離子體效果。
定制模式——當平面刻蝕配置不過理想時，特制的電極配置可以提供。
濕法刻蝕相對于帶RIE等離子刻蝕機的缺點
1. 硅片水平運行，機片高（等離子刻蝕去PSG槽式浸泡甩干，硅片受沖擊小）；
2. 下料吸筆易污染硅片（等離子刻蝕去PSG后甩干）；
3. 傳動滾抽易變形（PVDF，PP材質且水平放置易變形）；
4. 成本高（化學品刻蝕代替等離子刻蝕成本增加）。
此外，有些等離子刻蝕機，如SCE等離子刻蝕機還具備“綠色”優勢：無氟氯化碳和污水、操作和環境安全、排除有毒和腐蝕性的液體。
帶RIE等離子刻蝕機檢驗操作及判斷
1. 確認萬用表工作正常，量程置于200mV。
2.冷探針連接電壓表的正電極，熱探針與電壓表的負極相連。
3.用冷、熱探針接觸硅片一個邊沿不相連的兩個點，電壓表顯示這兩點間的電壓為正值，說明導電類型為P 型，刻蝕合格。相同的方法檢測另外三個邊沿的導電類型是否為P型。
4.如果經過檢驗，任何一個邊沿沒有刻蝕合格，則這一批硅片需要重新裝片，進行刻蝕。
