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[供應(yīng)]nanoVoxel 2000系列-X射線三維顯微CT
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  • nanoVoxel 2000系列-X射線三維顯微CT
貨物所在地:
天津天津市
更新時(shí)間:
2024-10-13 21:00:28
有效期:
2024年10月13日 -- 2025年4月13日
已獲點(diǎn)擊:
372
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

X射線三維顯微CT:nanoVoxel 2000系列X射線三維顯微CT,不受樣品尺寸、和外部環(huán)境的影響,在距離射線源數(shù)毫米至數(shù)厘米的工作距離上仍能獲得高達(dá)500納米的真實(shí)空間分辨率。

詳細(xì)介紹

X射線三維顯微CT產(chǎn)品特點(diǎn)

長(zhǎng)工作距離下的微納米空間分辨率成像

     nanoVoxel 2000系列X射線三維顯微CT,不受樣品尺寸、和外部環(huán)境的影響,在距離射線源數(shù)毫米至數(shù)厘米的工作距離上仍能獲得高達(dá)500納米的真實(shí)空間分辨率。

突破性的二級(jí)光學(xué)放大

     突破了傳統(tǒng)斷層成像(簡(jiǎn)稱CT)技術(shù)中單純依賴大視野平板探測(cè)器一級(jí)幾何放大成像的原理,通過二級(jí)光學(xué)放大技術(shù),實(shí)現(xiàn)了超越傳統(tǒng)斷層成像技術(shù)的無(wú)損三維亞微米級(jí)別的高分辨率、高襯度成像。

限接近同步輻射的高吸收/相位襯度成像系統(tǒng)

       基于*進(jìn)的吸收襯度成像、相位襯度成像和超分辨成像技術(shù),使得nanoVoxel 2000系列X射線三維顯微CT通用性大大提升,應(yīng)用領(lǐng)域從低原子序數(shù)的軟材料,如不同纖維復(fù)合材料、泡沫材料、高分子材料、動(dòng)物軟組織,到高原子序數(shù)的巖石、合金、金剛石、電子器件等,均可提供高對(duì)比度、出色圖像質(zhì)量的結(jié)構(gòu)信息。完美演繹了同步輻射光源實(shí)驗(yàn)室實(shí)現(xiàn)的相稱成像效果。

簡(jiǎn)單的操作流程

     可進(jìn)行全自動(dòng)樣品掃描,實(shí)驗(yàn)條件簡(jiǎn)單,無(wú)需復(fù)雜制樣,無(wú)需真空環(huán)境,降低了對(duì)設(shè)備操作人員的專業(yè)要求。

X射線三維顯微CT產(chǎn)品應(yīng)用

 

 *進(jìn)材料

      在材料科學(xué)中,材料的宏觀性能與其微觀結(jié)構(gòu)類型密切相關(guān)。在材料的制備和使用過程中,對(duì)材料內(nèi)部的孔隙、夾雜、裂紋以及為材料微觀結(jié)構(gòu)的三維空間的數(shù)量、體積分?jǐn)?shù)、分布等信息的準(zhǔn)確掌握,有利于分析材料的缺陷信息與力學(xué)性能的關(guān)系,辨別缺陷在材料失效中的作用,進(jìn)而幫助進(jìn)行失效機(jī)理的研究,以優(yōu)化和改善材料的質(zhì)量。X射線三維顯微成像技術(shù)在材料領(lǐng)域的應(yīng)用將極大的促進(jìn)工藝研發(fā)以及材料性能提升。                

                                              

石油/地質(zhì)科學(xué)

     無(wú)損三維定量表征、描述、分析來(lái)自于地表出露和井下巖芯、巖屑進(jìn)而得到巖性信息,為石油勘探、儲(chǔ)層研究、油氣儲(chǔ)運(yùn)及非常規(guī)油氣田領(lǐng)域的發(fā)展制定全新的技術(shù)方案。強(qiáng)大的數(shù)字巖心分析軟件系統(tǒng),將獲得的巖芯結(jié)構(gòu)信息轉(zhuǎn)換成模擬真實(shí)樣品的數(shù)值網(wǎng)絡(luò),建立大型虛擬數(shù)字巖芯庫(kù)。為巖石物理學(xué)專家和油氣工程師提供方便、快捷、全面的儲(chǔ)層信息,制定更明智的解決方案。  

 

電子元器件

    X射線無(wú)損三維檢測(cè)可以直觀顯示元器件表面及其內(nèi)部一定深度的結(jié)構(gòu),有助于電子元件封裝過程中內(nèi)部缺陷的檢測(cè)。可針對(duì)但不限于球柵陣列器件BGA浸潤(rùn)不良、內(nèi)部裂紋、空洞、多錫、少錫等問題,以及復(fù)雜精密組裝部件中的壞件、錯(cuò)件、隱藏元件、PCB開/短路、功能失效,腳翹、腳彎等問題進(jìn)行無(wú)損三維成像檢測(cè),還可廣泛應(yīng)用于第三代半導(dǎo)體器件、超大規(guī)模集成電路以及量子功能器件等新型交叉研究領(lǐng)域,實(shí)現(xiàn)無(wú)損表征產(chǎn)品的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及位置關(guān)系、內(nèi)部成分構(gòu)成比例檢測(cè),洞察微失效及加工缺陷,在電子封裝領(lǐng)域開展多方面的研究工作。

注:該儀器未取得中華人民共和國(guó)醫(yī)療器械注冊(cè)證,不可用于臨床診斷或治療等相關(guān)用途。

 

 

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