目錄:筱曉（上海）光子技術(shù)有限公司>>光電探測器>>其他光電探測器>> ET-5000-銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-5000, >10 GHz 美 國EOT PD
| 產(chǎn)地類別 | 進口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,建材,電子 |
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| 名稱 | 型號 | ||
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| 硅 Silicon ET-2060 - 硅光電探測器 >1.1 GHz 美國EOT | ET-2060 E80040616 | 材料：Silicon 上升／下降時間：＜３２０ｐｓ／＜３２０ｐｓ； 響應(yīng)度：０．４７Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 帶寬：＞１．１ＧＨｚ； 有效面積直徑：０．４ｍｍ； 輸出連接：BNC； 工作溫度：-20 - 50℃； | 帶寬(Hz): >1.1 GHz |
| 硅 Silicon ET-2040 硅光電探測器 ＞25MＨz 美國EOT | ET-2040 E80040617 | 材料：Silicon 上升／下降時間：＜３０nｓ／＜３０nｓ； 響應(yīng)度：０.６Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 帶寬：＞２５ＭＨｚ； 有效面積直徑：４.５７ｍｍ； 輸出連接：BNC | 帶寬(Hz): >25 MHz |
| 硅 Silicon ET-2030 高速 硅光電探測器 ＞１.２ＧＨｚ 美國EOT | ET-2030 E80040619 | 材料：Silicon 上升／下降時間：＜３００ｐｓ／＜３００ｐｓ； 響應(yīng)度：０.４７Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 帶寬：＞１.２ＧＨｚ； 有效面積直徑：０.４ｍｍ； 輸出連接：BNC | 帶寬(Hz): >1.2 GHz |
| 硅 Silicon ET-2070 - 硅光電探測器 >118 MHz 美國EOT | ET-2070 E80040615 | 材料：Silicon； 上升／下降時間：＜3ns／＜3ns； 響應(yīng)度：0.56A／Ｗ＠830ｎｍ； 帶寬：＞118MHz； 有效面積直徑：2.55ｍｍ； 輸出連接：BNC | 帶寬(Hz): 118 MHz |
| 銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-3500, >15 GHz 美國EOT | ET-3500 E80040614 | 材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 響應(yīng)度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞１５ＧＨｚ； 有效面積直徑：３２ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ 光纖連接 不適用 | 帶寬(Hz): ＞15 GHz |
| 硅 Silicon 帶放大高速光電探測器 ET-2030A 美國EOT | ET-2030A E80040618 | 材料：Silicon硅 上升／下降時間：＜５００pｓ／＜５００ｐｓ； 轉(zhuǎn)換增益：450 V/W ＠830 nm 帶寬：30 kHz to 1.2 GHz 有效面積直徑：４００ｕｍ； 輸出連接：ＢＮＣ | 帶寬(Hz): 30 kHz-１.2 GHz |
| 銦鎵砷 InGaAs 帶放大光電探測器 ET-3500A 美國EOT(停產(chǎn)) | ET-3500A E80040612 | 材料：InGaAs 上升／下降時間：＜35ps／＜35ps； 帶寬：20 kHz 至 10 GHz； 有效面積直徑：３２ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ；停產(chǎn) | 帶寬(Hz): ＞15 GHz |
| 銦鎵砷 InGaAs 放大光電探測器 ET-3000A 美國EOT | ET-3000A E80040613 | 材料：InGaAs 上升／下降時間：＜４００pｓ／＜４００ｐｓ； 轉(zhuǎn)換增益：900 V/W ＠1300 nm 帶寬：30 kHz to １.５GHz 有效面積直徑：１００ｕｍ； 輸出連接：ＢＮＣ | 帶寬(Hz): 30 kHz-１.５GHz |
| 銦鎵砷 InGaAs 帶放大光電探測器 ET-5000A 10 GHz 美國EOT（已經(jīng)停產(chǎn)） | ET-5000A E80040611 | 材料：InGaAs 上升／下降時間：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ； 轉(zhuǎn)換增益：3250 V/W ＠2000 nm 帶寬：20 kHz to 10 GHz 有效面積直徑：４０ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ | 帶寬(Hz): 20 kHz-10 GHz |
| 砷化鎵 GaAs 帶放大光電探測器 ET-4000A 美國EOT | ET-4000A E80040622 | 材料：GaAs ； 上升／下降時間：＜35ps ／＜35ps ； 轉(zhuǎn)換增益：1340 V/W ＠ 850 nm 帶寬：20 kHz to 10 GHz 有效面積直徑：60um； 輸出連接：SMA | 帶寬(Hz): 20 kHz-10 GHz |
| 銦鎵砷 InGaAs 帶放大光電探測器 ET-5000AF 砷化鎵 (已停產(chǎn)下架) | ET-5000AF E80040610 | 材料：InGaAs 上升／下降時間：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ； 轉(zhuǎn)換增益：２３５０ V/W ＠2000 nm 帶寬：20 kHz to 10 GHz 有效面積直徑：４０ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ | 帶寬(Hz): 20 kHz-10 GHz |
| 砷化鎵 GaAs 帶放大光電探測器 ET-4000AF美國EOT（已經(jīng)停產(chǎn)） | ET-4000AF E80040621 | 材料：GaAs 上升／下降時間：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ； 轉(zhuǎn)換增益：９７０V/W ＠ 850 nm 帶寬：20 kHz to 10 GHz 有效面積直徑：６０ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ | 帶寬(Hz): 20 kHz-10 GHz |
| 銦鎵砷 InGaAs 帶放大光電探測器 ET-3500AF 美國EOT(已停產(chǎn)下架) | ET-3500AF E80040609 | 材料：InGaAs 上升／下降時間：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ； 轉(zhuǎn)換增益：1620 V/W ＠1310 nm 帶寬：20 kHz to 10 GHz 有效面積直徑：３２ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ | 帶寬(Hz): 20 kHz-10 GHz |
| 銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-3500F, >15 GHz 美國EOT | ET-3500F E80040608 | 材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 響應(yīng)度：０.６５Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞１５ＧＨｚ； 有效面積直徑：３２ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ 光纖連接 FC/UPC；SMF28e | 帶寬(Hz): ＞15 GHz |
| 銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-3600, >22 GHz 美國EOT | ET-3600 E80040607 | 材料：InGaAs； 上升／下降時間：＜16ps ／＜16ps； 響應(yīng)度：0.7A／Ｗ＠1300ｎｍ； 帶寬：＞22ＧＨｚ； 有效面積直徑：20ｕｍ； 輸出連接：SMA ； 光纖連接 不適用 | 帶寬(Hz): >22 GHz |
| 銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-3600F, >22 GHz 美國EOT | ET-3600F E80040606 | 材料：InGaAs 上升／下降時間：＜16pｓ／＜16ｐｓ； 響應(yīng)度：０.7Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞22ＧＨｚ； 有效面積直徑：20ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ 光纖連接 FC/UPC、SMF28e | 帶寬(Hz): >22 GHz |
| 砷化鎵 GaAs 高速光電探測器 ET-4000, >12.5 GHz 美國EOT | ET-4000 E80040620 | 材料：GaAs 上升／下降時間：＜３０pｓ／＜３０ｐｓ； 響應(yīng)度：０.５３Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 帶寬：＞１２．５ＧＨｚ； 有效面積直徑：６０ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ 光纖連接c 不適用 | 帶寬(Hz): ＞12.5 GHz |
| 砷化鎵 GaAs 高速光電探測器 ET-4000F, >12.5 GHz 美國EOT | ET-4000F E80040605 | 材料：GaAs 上升／下降時間：＜３０pｓ／＜３０ｐｓ； 響應(yīng)度：０.３８Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 帶寬：＞１２．５ＧＨｚ； 有效面積直徑：６０ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ 光纖連接 FC/UPC、SMF28e | 帶寬(Hz): ＞12.5 GHz |
| 銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-5000, >10 GHz 美 國EOT | ET-5000 E80040604 | 材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ； 響應(yīng)度：１．３Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ； 帶寬：＞１０ＧＨｚ； 有效面積直徑：４０ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ 光纖連接；不適用 | 帶寬(Hz): ＞10 GHz |
| 銦鎵砷 InGaAs 高速光電探測器 ET-5000F, >10 GHz 美國EOT | ET-5000F E80040603 | 材料：InGaAs 上升／下降時間：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ； 響應(yīng)度：0.9Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ； 帶寬：＞１０ＧＨｚ； 有效面積直徑：４０ｕｍ； 輸出連接：ＳＭＡ 光纖連接；FC/UPC | 帶寬(Hz): ＞10 GHz |
| 銦鎵砷 InGaAs ET-3000 InGaAs 銦鎵砷光電探測器 >2 GHz 美國EOT | ET-3000 E80040602 | 材料：銦鎵砷 上升／下降時間：＜175ps / ＜175ps； 響應(yīng)度： 0.9A/ W@1300nm； 帶寬：＞２ＧＨｚ； 有效面積直徑：100um； 輸出連接：BNC； | 帶寬(Hz): >2 GHz |
| 銦鎵砷 InGaAs ET-3010 光電探測器 >2 GHz 美國EOT | ET-3010 E80040601 | 材料：InGaAs 上升／下降時間：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ； 響應(yīng)度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞２ＧＨｚ； 有效面積直徑：１００ｕｍ； 輸出連接：BNC | 帶寬(Hz): >2 GHz |
筱曉光子公司代理美國的EOT(Electro-Optics Technology)公司全線產(chǎn)品
EOT 的 >10 GHz 光電探測器包含 PIN 光電二極管，利用光伏效應(yīng)將光功率轉(zhuǎn)換為電流。當端接到示波器的 50 Ω 電阻時，可以測量激光的脈沖寬度。當端接到頻譜分析儀的 50 Ω 電阻時，可以測量激光器的頻率響應(yīng)。 EOT 的 >10 GHz 光電探測器自帶由長壽命鋰電池組成的內(nèi)部偏置電源。將同軸電纜插入光電檢測器的 SMA 輸出連接器并在示波器或頻譜分析儀上端接 50 Ω 即可運行。
特征
占地面積小
內(nèi)部電壓偏置
直流至 22 GHz
選項
可以訂購可選的壁掛式電源
提供光纖耦合或自由空間選項
探測器材質(zhì)
應(yīng)用
監(jiān)控調(diào)Q激光器的輸出
監(jiān)控鎖模激光器的輸出
監(jiān)測外部調(diào)制連續(xù)激光器的輸出
高頻、外差應(yīng)用
時域和頻率響應(yīng)測量
| 零件號 （型號） | (ET-5000) | (ET- 5000F ) |
| 探測器材質(zhì) | 銦鎵砷 | 銦鎵砷 |
| 上升時間/下降時間 | ||
| 響應(yīng)度一 | ||
| 電源 | ||
| 帶寬 | ||
| 有效面積直徑 | ||
| 暗電流 | ||
| 接受角（1/2角） | ||
| 噪聲等效功率b | ||
| 最大線性額定 CW | ||
| 安裝（螺紋孔） | ||
| 輸出連接器 | ||
| 光纖連接c |
產(chǎn)品規(guī)格可能會發(fā)生變化。所有產(chǎn)品均符合 RoHS 標準。
a光電探測器有一個內(nèi)部 50 Ω 終端。響應(yīng)數(shù)據(jù)僅適用于二極管。檢測器輸出應(yīng)根據(jù)圖表所示響應(yīng)度的 1/2 確定。
b 噪聲等效功率 (NEP) 由開路輸出確定。
c 多模光纖可用。可能會限制帶寬。
注意： 除非另有說明，否則所有規(guī)格均適用于 50 Ω 端接。
SPECIFICATIONS | ||||||||
Part No. (Model)型號 | 120-10058-0001 (ET-3500) | 120-10068-0001 (ET-3500F) | 120-10071-0001 (ET-4000) | 120-10081-0001 (ET-4000F) | 120-10105-0001 (ET-5000) | 120-10104-0001 (ET-5000F) | 120-10140-0001 (ET-3600) | 120-10142-0001 (ET-3600F) |
Detector Material 材料 | InGaAs | InGaAs | GaAs | GaAs | InGaAs | InGaAs | InGaAs | InGaAs |
Rise Time/Fall Time | <25 ps/<25 ps | <25 ps/<25 ps | <30 ps/<30 ps | <30 ps/<30 ps | 28 ps/28 ps | 28 ps/28 ps | 16 ps/16 ps | 16 ps/16 ps |
Responsivitya 響應(yīng)度 | >0.90 A/W at 1300 nm | >0.65 A/W at 1300nm | 0.53 A/W at 830 nm | 0.38 A/W at 830 nm | 1.3 A/W at 2000 nm | 0.95 A/W at 2000 nm | >0.70 A/W at 1300 nm | >0.70 A/W at 1300 nm |
Power Supply 電源 | 6 VDC | 6 VDC | 3 VDC | 3 VDC | 3 VDC | 3 VDC | 3 VDC | 3 VDC |
Bandwidth 波段 | >15 GHz | >15 GHz | >12.5 GHz | >12.5 GHz | >10 GHz | >10 GHz | >22 GHz | >22 GHz |
Active Area Diameter 有效面積直徑 | 32µm | 32 µm | 60 µm | 60 µm | 40 µm | 40 µm | 20 µm | 20 µm |
Dark Current 暗電流 | <3 nA | <3 nA | <0.5 nA | <0.5 nA | <1 µA | <1 µA | <1 nA | <1 nA |
Acceptance Angle (1/2 angle) 接受角 | 15? | N/A | 15? | N/A | 20? | N/A | 15? | N/A |
Noise Equivalent Powerb 噪聲等效功率 | 20 pW/√Hz at 1300 nm | 28 pW/√Hz at 1300 nm | 35 pW/√Hz at 830 nm | 45 pW/√Hz at 830 nm | 15 pW/√Hz at 2000 nm | 20 pW/√Hz at 2000 nm | 26 pW/√Hz at 1300 nm | 26 pW/√Hz at 1300 nm |
Maximum Linear Rating CW 最大線性額定值 | 10 mW | 10 mW | 10 mW | 10 mW | 3 mA | 3 mA | 10 mW | 10 mW |
Mounting (Tapped Holes) 安裝（螺紋孔） | 8-32 or M4 | 8-32 or M4 | 8-32 or M4 | 8-32 or M4 | 8-32 or M4 | 8-32 or M4 | 8-32 or M4 | 8-32 or M4 |
Output Connector 輸出連接器 | SMA | SMA | SMA | SMA | SMA | SMA | SMA | SMA |
Fiber Optic Connectionc 光纖連接 | N/A | FC/UPC, SMF28e | N/A | FC/UPC, SMF28e | N/A | FC/UPC | N/A | FC/UPC, SMF28e |
產(chǎn)品規(guī)格可能會更改。所有產(chǎn)品均符合RoHS標準。
光電探測器具有內(nèi)部50Ω終端。響應(yīng)度數(shù)據(jù)僅適用于二極管。探測器輸出應(yīng)根據(jù)圖中所示響應(yīng)度的1/2確定。
噪聲等效功率（NEP）通過開路輸出確定。
c多模光纖可用。可能會限制帶寬。
注：除非另有說明，否則所有規(guī)范均適用于50Ω終端。
公司簡介
筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司成立于2014年,是一家被上海市評為高新技術(shù)企業(yè)和擁有上海市專精特新企業(yè)稱號的專業(yè)光學(xué)服務(wù)公司，業(yè)務(wù)涵蓋設(shè)備代理以及項目合作研發(fā)，公司位于大虹橋商務(wù)板塊，擁有接近2000m2的辦公區(qū)域，建有500平優(yōu)良的AOL(Advanced Optical Labs)光學(xué)實驗室，為國內(nèi)外客戶提供專業(yè)技術(shù)支持服務(wù)。公司主要經(jīng)營光學(xué)元件、激光光學(xué)測試設(shè)備、以及光學(xué)系統(tǒng)集成業(yè)務(wù)。十年來,依托專業(yè)、強大的技術(shù)支持，以及良好的商務(wù)支持團隊，筱曉的業(yè)務(wù)范圍正在逐年增長。目前業(yè)務(wù)覆蓋國內(nèi)外各有名高校、*科研機構(gòu)及相關(guān)領(lǐng)域等諸多企事業(yè)單位。筱曉擁有一支核心的管理團隊以及專業(yè)的研發(fā)實驗室，奠定了我們在設(shè)備的拓展應(yīng)用及自主研發(fā)領(lǐng)域堅實的基礎(chǔ)。
主要經(jīng)營
激光器/光源
半導(dǎo)體激光器（DFB激光器、SLD激光器、量子級聯(lián)激光器、FP激光器、VCSEL激光器）
氣體激光器（HENE激光器、氬離子激光器、氦鎘激光器）
光纖激光器（連續(xù)激光器、超短脈沖激光器）
光學(xué)元件
光纖光柵濾波器、光纖放大器、光學(xué)晶體、光纖隔離器/環(huán)形器、脈沖驅(qū)動板、光纖耦合器、氣體吸收池、光纖準直器、光接收組件、激光控制驅(qū)動器等各種無源器件
激光分析設(shè)備
高精度光譜分析儀、自相關(guān)儀、偏振分析儀，激光波長計、紅外相機、光束質(zhì)量分析儀、紅外觀察鏡等
光纖處理設(shè)備
光纖拉錐機、裸光纖研磨機 。 
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化工儀器網(wǎng)