當前位置:江蘇芯鉆時代電子科技有限公司>>分立半導體模塊>>可控硅模塊>> CLA110MB1200NA艾賽斯可控硅CLA100PD1200NA/CMA80PD1600NA
應用領域 | 醫療衛生,電子,交通,航天,汽車 | 產品種類 | 半導體模塊 |
---|---|---|---|
電流電壓 | 2*1200V | 電流電源 | 80-100A |
封裝 | 標準封裝 | 重量 | 30G |
顏色 | 黑色 |
艾賽斯可控硅CLA100PD1200NA/CMA80PD1600NA/CLA110MB1200NA
可控硅-主要參數
1、額定通態平均電流IT在一定條件下,陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。
2、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發信號,陽極正向電壓還未超過導能電壓時,可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值,不能超過手冊給出的這個參數值。
3、反向陰斷峰值電壓VPR當可控硅加反向電壓,處于反向關斷狀態時,可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,不能超過手冊給出的這個參數值。
4、控制極觸發電流Ig1、觸發電壓VGT在規定的環境溫度下,陽極--陰極間加有一定電壓時,可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的最小控制極電流和電壓。
5、維持電流IH在規定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導通所必需的最小陽極正向電流。
可控硅-參數符號說明
IT(AV)--通態平均電流
VRRM--反向重復峰值電壓IDRM--斷態重復峰值電流
ITSM--通態一個周波不重復浪涌電流
VTM--通態峰值電壓
IGT--門極觸發電流
VGT--門極觸發電壓
IH--維持電流
dv/dt--斷態電壓臨界上升率
di/dt--通態電流臨界上升率
Rthjc--結殼熱阻
VISO--模塊絕緣電壓
Tjm--額定結溫
VDRM--通態重復峰值電壓
IRRM--反向重復峰值電流
IF(AV)--正向平均電流
艾賽斯可控硅CLA100PD1200NA/CMA80PD1600NA/CLA110MB1200NA 1200V/1600V ,更多品牌系列,請聯系客服
請輸入賬號
請輸入密碼
請輸驗證碼
以上信息由企業自行提供,信息內容的真實性、準確性和合法性由相關企業負責,化工儀器網對此不承擔任何保證責任。
溫馨提示:為規避購買風險,建議您在購買產品前務必確認供應商資質及產品質量。