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愛安德介紹半導體曝光設備原理

時間:2024/9/9閱讀:157
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愛安德介紹半導體曝光設備原理

半導體曝光設備由光源、聚光透鏡、光掩模、投影透鏡和載物臺組成。從光源發出的紫外光通過聚光透鏡調整,使其指向同一方向。之后,紫外光穿過作為構成電路圖案的一層的原型的光掩模,并通過投影透鏡減少光線,將半導體元件的電路圖案(的一層)轉移到半導體元件上。馬蘇。在諸如步進機之類的曝光設備中,在完成一次轉移之后,通過平臺移動硅晶片,并將相同的電路圖案轉移到硅晶片上的另一位置。通過更換光掩模,可以轉印半導體器件的另一層電路圖案。

所使用的光源包括波長為248 nm的KrF準分子激光器、波長為193 nm的ArF準分子激光器以及波長為13 nm的EUV光源。

最新半導體制造工藝的設計規則(最小加工尺寸)越來越細化至3至5納米左右,因此聚光透鏡、光掩模、投影透鏡和平臺都需要納米級的高精度。此外,隨著層壓的進行,進行多次曝光以改變電路圖案并形成單個半導體。



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