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真空鍍膜設備主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。
蒸發鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程(散點-島狀結構-迷走結構-層狀生長)形成薄膜。 對于濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，并且最終沉積在基片表面，經歷成膜過蒸發鍍膜設備+所鍍產品圖蒸發鍍膜設備+所鍍產品圖程，最終形成薄膜。
蒸鍍儀常用的蒸發源有以下幾種：
1、電阻式蒸發源
采用高熔點金屬做成合適的形狀(如加熱絲、加熱舟、坩堝、盒狀源等)裝上待蒸發材料，對政法材料進行直接加熱蒸發。采用這種蒸發源的時候，對蒸發材料有以下幾點要求：
(1) 蒸發源材料的自身熔點要高；
(2) 飽和蒸汽壓要低；
(3) 化學性能要穩定，且具有良好的耐熱性，熱源變化時，功率密度變化較小；
(4) 成本低；
(5) 蒸發源對膜材料的“濕潤性”好。
電阻式蒸發源具有以下有點：第一，結構簡單、使用方便、造價低廉，因此使用普遍；第二，常用來蒸發蒸發溫度小于1500℃的鋁、金、銀等金屬，蒸發一些硫化物、氟化物和某些氧化物。
2、電子束加熱蒸發源
根據電子束蒸發源的形式不同，可以分為：環形槍、直槍、e型槍和空心陰極電子槍幾種。其具有以下優點：
(1) 與電阻加熱源相比可以減少污染；
(2) 能量集中，使膜料局部表面受到很高的溫度, 而其它部分的溫度低。因而，可使高熔點(可以高達3000℃)的材料蒸發, 且有較高的蒸發速率；
(3) 可以準確、方便地控制蒸發溫度；
(4) 有較大的溫度調節范圍，對高、低熔點的膜料都適用，適用性寬，特別適合蒸鍍熔點高達 2000℃左右的氧化物。
缺點：
(1) 通常蒸鍍的膜層較薄；
(2) 蒸鍍的薄膜組分復雜。
3、激光蒸發源
通過聚焦可使激光束功率密度達到106W/cm2 以上，它是以無接觸加熱的方式使膜料迅速氣化，然后淀積在基片上形成薄膜的方法。使用高功率的連續或脈沖激光束作為能源進行薄膜的蒸發沉積的方法被稱為激光沉積法。
優點：
(1) 能蒸發任何高熔點材料，可以蒸發各種材料，且獲得很高的蒸發速率；
(2) 與電阻加熱蒸發源相比可以減少鍍膜受污染；
(3) 非常適合于蒸發化合物或合金；
(4) 與電子束蒸發源相比，它避免了電子束蒸發膜面帶電的缺點。
缺點：
(1) 長時間工作，激光進入鐘罩窗口處的透鏡會受到影響；
(2) 激光蒸發器較昂貴，且并非對所有材料都顯示其*性；
(3) 由于蒸發材料溫度太高，蒸發粒子(原子、分子、簇團等)多易離子化，從而會對膜結構和特性產生一定影響。
4、高頻感應蒸發源
優點：
(1) 它是面蒸發，蒸發速率大，可以比電阻蒸發源大10倍左右；
(2) 蒸發源的溫度均勻穩定，不易產生飛濺現象；
(3) 蒸發源一次裝料，無需送料機構，溫度控制較容易，操作比較簡單。
缺點：
(1) 因為接觸易造成污染；
(2) 只能蒸發導電的膜料；
(3) 設備必須屏蔽，且需要復雜和昂貴的高頻發生器。
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