霍爾效應實驗背景及實驗目的

實驗背景

置于磁場中的載流體，如果電流方向與磁場垂直，則在垂直于電流和磁場的方向會產生一附加的橫向電場，稱為霍爾效應。  霍爾效應實驗背景及實驗目的  

如今，隨著半導體物理學的迅速發展，霍爾系數和電導率的測量已成為研究半導體材料的主要方法之一。霍爾效應不但是測定半導體材料電學參數的主要手段，而且隨著電子技術的發展，利用該效應制成的霍爾器件，由于結構簡單、頻率響應寬(高達10GHz)、壽命長、可靠性高等優點，已廣泛用于非電量測量、自動控制和信息處理等方面。  您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！

實驗目的

1． 通過實驗掌握霍爾效應基本原理，了解霍爾元件的基本結構；

2． 學會測量半導體材料的霍爾系數、電導率、遷移率等參數的實驗方法和技術；

3． 學會用“對稱測量法”消除副效應所產生的系統誤差的實驗方法。

4． 學習利用霍爾效應測量磁感應強度B及磁場分布。

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實驗儀器

霍爾效應測試儀，是用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等重要參數，而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必*的工具。

錦正茂科技研發的霍爾效應測試系統，類型分為電磁鐵型、高磁場型、高低溫磁場型、低溫型和高阻型，用于量測電子材料的重要特性參數，如載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等，薄膜或固體材料均可。該儀器為性能穩定、功能強大、性價比高的霍爾效應儀,在國內高校、研究所及半導體業界擁有廣泛的用戶和知*度。