BW-3010B
晶體管光耦參數(shù)測試儀(光耦&光電傳感器雙功能版)
用途: BW-3010B型光藕參數(shù)測試儀是專為各種4腳三極管型的光電耦合器的功能和參數(shù)測試及參數(shù)”合格/不合格”(OK/NO)判斷測試。
BW-3010B產(chǎn)品介紹:
BW-3010B型光藕參數(shù)測試儀是專為各種4腳三極管型的光電耦合器和光電傳感器的功能和參數(shù)測試及參數(shù)”合格/不合格”(OK/NO)判斷測試,BW-3010B為各種三極管型4腳光藕提供了輸入正向壓降(VF)和輸出反向耐(ICEO)、耐壓BVCEO、傳輸比(CTR)等 。中文軟件界面友好,簡化了系統(tǒng)的操作和編程,提供了快速的一次測試條件和測試參數(shù)的設(shè)定,測試條件及數(shù)據(jù)同步存入EEPROM中,測試條件可以任意設(shè)置,測試正向壓降和輸出電流可達1A,操作簡便,實用性強。廣泛應(yīng)用與半導(dǎo)體電子行業(yè)、新能源行業(yè)、封裝測試、家電行業(yè)、科研教育等領(lǐng)域來料檢驗、產(chǎn)品選型等重要檢測設(shè)備之一。
產(chǎn)品電氣參數(shù):
產(chǎn)品信息
產(chǎn)品型號:BW-3022A
產(chǎn)品名稱:晶體管光耦參數(shù)測試儀;
物理規(guī)格
主機尺寸:深 305*寬 280*高 120(mm)
主機重量:<4.5Kg
主機顏色:白色系
電氣環(huán)境
主機功耗:<75W
環(huán)境要求:-20℃~60℃(儲存)、5℃~50℃(工作);
相對濕度:≯85%;
大氣壓力:86Kpa~106Kpa;
防護條件:無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導(dǎo)電粉塵等;
電網(wǎng)要求:AC220V、±10%、50Hz±1Hz;
工作時間:連續(xù);
服務(wù)領(lǐng)域:
半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)、晶圓測試、封裝測試、電網(wǎng)、家電、新能源汽車、教育教學、軌道交通、功率模塊等光耦測試
應(yīng)用場景:
? 研發(fā)分析 : 根據(jù)測試數(shù)據(jù)進行功率器件研發(fā)設(shè)計階段的測試分析
?失效分析:失效測試分析,失效機理分析、 過程分析及改善依據(jù)
?選型配對:同類型器件參數(shù)對比分析、選型參數(shù)依據(jù)、一致性分析類比
? 來料檢驗:檢驗部/質(zhì)量部(IQC)對出入庫器件進行抽檢/全檢,把控器件的良品率
?量產(chǎn)測試:可與機械手、掃碼槍、分選機、編帶機、探針臺等外部設(shè)備聯(lián)機測試,實現(xiàn)規(guī)模化、自動化快速測試
?選型配對(在器件焊接至電路板之前進行全部測試,將測試數(shù)據(jù)比較一致的器件進行分類配對)
?檢驗篩選(研究所及電子廠的質(zhì)量部(IQC)對入廠器件進行抽檢/全檢,把控器件的良品率)
產(chǎn)品特點:
?大屏幕液晶,中文操作界面,顯示直觀簡潔,操作方面簡單
?大容量EEPROM存儲器,儲存量可多達1000種設(shè)置型號數(shù).
?全部可編程的DUT恒流源和電壓源.
?內(nèi)置繼電器矩陣自動連接所需的測試電路,電壓/電流源和測試回路.
?高壓測試電流分辨率1uA,測試電壓可達1500V;
?重復(fù)”回路”式測試解決了元件發(fā)熱和間歇的問題;
?軟件自校準功能;
?自動測試測DUT短路、開路或誤接現(xiàn)象,如果發(fā)現(xiàn),就立即停止測試;
?DUT的功能檢測通過LCD顯示出被測器件/DUT的類型,顯示測試結(jié)果是否合格,并有聲光提示;
?兩種工作模式:手動、自動測試模式。
BW-3010B主機和DUT的管腳對應(yīng)關(guān)系
型號類型 | P1 | T1 | P2 | T2 | P3 | T3 | P4 | T4 |
光藕PC817 | A | A測試端 | K | K測試端 | E | E測試端 | C | C測試端 |
BW-3010B測試技術(shù)指標:
1、光電傳感器指標:
1.1輸入正向壓降(VF)
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-2V | 2mV | <1%+2RD | 0-1000MA |
1.2反向電流(Ir)
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-200UA | 0.2UA | <2%+2RD | VR:0-20V |
1.3集電極電流(Ic)
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-40mA | 0.2MA | <1%+2RD | VCE:0-20V IF:0-40MA |
1.4輸出導(dǎo)通壓降(VCE(sat))
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-2.000V | 2mV | 1% +5RD | IC:0-40mA IF:0-40mA |
1.5輸出漏電流(Iceo)
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-2.000mA | 2UA | <2%+2RD | VR:0-20V |
2、光電耦合器:
2.1 耐壓(VCEO)測試指標
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-1400V | 1V | <2%+2RD | 0-2mA |
2.2輸入正向壓降(VF)
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-2V | 2mV | <1%+2RD | 0-1000MA |
2.3反向漏電流(ICEO)
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-2000uA | 1UA | <5% +5RD | BVCE=25V |
2.4反向漏電流(IR)
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-2000uA | 1UA | <5% +5RD | VR=0-20V |
2.5電流傳輸比(CTR)
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-9999 | 1% | 1% +5RD | BVCE:0-20V IF:0-100MA |
2.6輸出導(dǎo)通壓降(VCE(sat))
測試范圍 | 分辨率 | 精度 | 測試條件 |
0-2.000V | 2mV | 1% +5RD | IC:0-1.000A IF:0-1.000A |
2.7可分檔位總數(shù):10檔。
BW-3010B測試定義與規(guī)范:
AKEC:表示引腳自左向右排列分別為 光耦的,A K E C極.
VF:IF: 表示測試光耦輸入正向VF壓降時的測試電流.
Vce:Bv:表示測試光耦輸出端耐壓BVCE時輸入的測試電壓.
Vce:Ir: 表示測試光耦輸出端耐壓BVCE時輸入的測試電流.
CTR:IF:表示測試光耦傳輸比時輸入端的測試電流。
CTR:Vce:表示測試光耦傳輸比時輸出端的測試電壓。
Vsat:IF:表示測試光耦輸出導(dǎo)通壓降時輸入端的測試電流。
Vsat:Ic:表示測試光耦輸出導(dǎo)通壓降時輸出端的測試電流。
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