去除晶圓鍵合邊緣缺陷的方法主要包括以下幾種：

一、化學氣相淀積與平坦化工藝

方法概述：

提供待鍵合的晶圓。

利用化學氣相淀積的方法，在晶圓的鍵合面淀積一層沉積量大于一定閾值（如1.6TTV）的氧化物薄膜。

對氧化物薄膜進行致密化工藝。

對經致密化工藝后的氧化物薄膜進行平坦化工藝，確保平坦化的研磨量和氧化物薄膜的剩余量滿足一定條件（如平坦化的研磨量大于0.9TTV，氧化物薄膜的剩余量大于0.4TTV）。

進行晶圓鍵合。

優點：

通過淀積和平坦化工藝，可以有效覆蓋和減少晶圓鍵合邊緣的缺陷。

為后續制程提供較好的基底，提高產品的良率。

二、視覺檢測與修正工藝

方法概述：

利用視覺檢測機構獲取磨削后的晶圓的圖像。

根據圖像獲取晶圓的邊緣缺損的寬度。

根據寬度采取相應措施處理晶圓的邊緣，直至寬度滿足預設條件。

設備要求：

晶圓減薄設備需包括設備前端模塊、磨削模塊和控制模塊。

磨削模塊設有晶圓邊緣處理裝置和視覺檢測機構。

控制模塊分別耦接晶圓邊緣處理裝置和視覺檢測機構以實現此方法。

優點：

通過視覺檢測可以精確獲取晶圓邊緣缺損的寬度。

根據檢測結果進行修正，可以確保晶圓邊緣的缺損寬度滿足預設條件，提高晶圓的質量。

三、去除晶邊缺陷的特定工藝

方法概述：

提供襯底，并在襯底上形成集成電路器件。

在半導體襯底上形成前層互連結構。

在前層互連結構上形成硬掩膜層、犧牲層等結構。

通過圖形化、回刻蝕等步驟形成側墻結構，并在襯底邊緣處形成缺陷源。

形成覆蓋芯軸圖形的光刻膠層，利用晶邊刻蝕工藝去除晶邊的光刻膠層、需去除的膜層和缺陷源。

去除剩余的光刻膠層和犧牲層。

優點：

該方法針對晶邊缺陷進行精確去除，避免了晶邊刻蝕工藝損傷晶圓圖形的風險。

工藝簡單，方便實現，能夠提高產品良率。

四、其他注意事項

工藝選擇：

根據具體的晶圓材料和工藝要求，選擇合適的去除晶圓鍵合邊緣缺陷的方法。

質量控制：

在去除晶圓鍵合邊緣缺陷的過程中，需要嚴格控制各項工藝參數，確保工藝的穩定性和可靠性。

設備維護：

定期對晶圓減薄設備和相關工藝設備進行維護和保養，確保設備的正常運行和精度。

綜上所述，去除晶圓鍵合邊緣缺陷的方法有多種，包括化學氣相淀積與平坦化工藝、視覺檢測與修正工藝以及去除晶邊缺陷的特定工藝等。在實際應用中，需要根據具體情況選擇合適的方法，并嚴格控制工藝參數和設備精度，以提高晶圓的質量和良率。

四、高通量晶圓測厚系統

高通量晶圓測厚系統以光學相干層析成像原理，可解決晶圓/晶片厚度TTV（Total Thickness Variation，總厚度偏差）、BOW（彎曲度）、WARP（翹曲度），TIR（Total Indicated Reading 總指示讀數，STIR（Site Total Indicated Reading 局部總指示讀數），LTV（Local Thickness Variation 局部厚度偏差）等這類技術指標；

高通量晶圓測厚系統，全新采用的第三代可調諧掃頻激光技術，傳統上下雙探頭對射掃描方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片，一次性測量所有平面度及厚度參數。

1,靈活適用更復雜的材料，從輕摻到重摻 P 型硅 (P++)，碳化硅，藍寶石，玻璃，鈮酸鋰等晶圓材料。

重摻型硅（強吸收晶圓的前后表面探測）

粗糙的晶圓表面，（點掃描的第三代掃頻激光，相比靠光譜探測方案，不易受到光譜中相鄰單位的串擾噪聲影響，因而對測量粗糙表面晶圓）

低反射的碳化硅(SiC)和鈮酸鋰(LiNbO3)；（通過對偏振效應的補償，加強對低反射晶圓表面測量的信噪比）

絕緣體上硅（SOI)和MEMS，可同時測量多 層 結 構，厚 度 可 從μm級到數百μm 級不等。 

可用于測量各類薄膜厚度，厚度可低至 4 μm ，精度可達1nm。

1，可調諧掃頻激光的“溫漂”處理能力，體現在復雜工作環境中抗干擾能力強，一改過去傳統晶圓測量對于“主動式減震平臺”的重度依賴，成本顯著降低。

2，靈活的運動控制方式，可兼容2英寸到12英寸方片和圓片測量。