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化工儀器網>產品展廳>實驗室常用設備>制樣/消解設備>電子束刻蝕系統>NE-550NLD-5700 對應光學器件、MEMS制造的干法刻蝕裝置

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NE-550NLD-5700 對應光學器件、MEMS制造的干法刻蝕裝置

具體成交價以合同協議為準

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公司自成立以來就一直專注于半導體、微組裝和電子裝配等領域的設備集成和技術服務;目前公司擁有一支在半導體制造、微組裝及電子裝配等領域經驗豐富的專業技術團隊,專業服務于混合電路、光電模塊、MEMS、先進封裝(TSV、Fan-out等)、化合物半導體、微波器件、功率器件、紅外探測、聲波器件、集成電路、分立器件、微納等領域。我們不僅能為客戶提供整套性能可靠的設備,還能根據客戶的實際生產需求制訂可行的工藝技術方案。
目前亞科電子已與眾多微電子封裝和半導體制造設備企業建立了良好的合作關系(如:BRUKER、EVG、TRYMAX、CAMTEK、CENTROTHERM、SENTECH、ENGIS、ADT、SONOSCAN、ASYMTEK、MARCH、PANASONIC、HYBOND、OKI、KEKO等),為向客戶提供先進的設備和專業的技術服務打下了堅實基礎。

 

半導體設備,微組裝設備,LTCC設備,化工檢測設備

產地類別 進口 價格區間 150萬-200萬
應用領域 電子

量產用刻蝕設備NE-5700/NE-7800

 

量產用刻蝕設備NE-5700/NE-7800是可以對應單腔及多腔、重視性價比擁有擴展性的刻蝕設備。

 

產品特性 / Product characteristics

 除單腔之外,另可搭載有磁場ICP(ISM)或NLD等離子源、去膠腔體、CCP腔體等對應多種刻蝕工藝。

為實現制程再現性及安定性搭載了星型電極及各種調溫技能。

擁有簡便的維護構造,實現downtime短化,提供清洗、維護及人員訓練服務等綜合性的售后服務體制。

專門的半導體技術研究所會提供萬全的工藝支持體制。

 

產品應用 / Product application

化合物(LED或LD、高頻器件)或Power device(IGBT配線加工、SiC加工)。

金屬配線或層間絕緣膜(樹脂類)、門電極加工工藝

強電介質材料或貴金屬刻蝕。

磁性體材料加工。

 

 

高密度等離子刻蝕裝置ULHITETM NE-7800H

 

高密度等離子客戶裝置ULHITE NE-7800H是對應刻蝕FeRAM、MRAM、ReRAM、PCRAM等器件所用的高難度刻蝕材料(強電介質層、貴金屬、磁性膜等)的Multi-Chamber型低壓高密度等離子刻蝕設備。

 

 

產品特性 / Product characteristics

有磁場ICP(ISM)方式-可產生低圧?高密度plasma、為不揮發性材料加工的設備。

可提供對應從常溫到高溫(400ºC)的層積膜整體刻蝕、硬掩膜去除的刻蝕解決方案。

通過從腔體到排氣line、DRP為止的均勻加熱來防止沉積物。

該設備采用可降低養護清洗并抑制partical產生的構造和材料及加熱機構,是在不揮發性材料的刻蝕方面擁有豐富經驗的量產裝置。

實現了長期的再現性、安定性

 

產品應用 / Product application

   FeRAM, MRAM, ReRAM, CBRAM, PcRAM等.

 

 

研究開發向NLD干法刻蝕設備NLD-570

 

研究開發向NLD干法刻蝕設備NLD-570,是搭載了愛發科獨chuang的磁性中性線(NLD- neutral loop discharge)等離子源的裝置,此NLD技術可實現產生低壓、低電子溫度、高密度的等離子。

 

產品特性 / Product characteristics

   NLD用于與ICP方式相比更低壓、高密度、更低電子溫度等離子體的石英、玻璃、水晶、LN/LT基板的加工。

 高硬玻璃、硼硅酸玻璃等不純物的多種玻璃加工,在形狀或表面平滑性方面有優異的刻蝕性能。

 石英及玻璃作為厚膜resist mask時的也可實現深度刻蝕(100μ m以上)。

 可實現高速刻蝕(石英>1μ m/min、Pyrex>0.8μ m/min)

 可追加cassette室。

 

產品應用 / Product application

  光學器件(光衍射格子、変調器、光開關等等)、凹凸型微透鏡。流體路徑作成或光子學結晶。

 

 

干法刻蝕設備 APIOS NE-950EX

對應LED量產的干法刻蝕設備?NE-950EX?相對我司以往設備實現了140%的生產力。是搭載了ICP高密度等離子源和愛發科獨自開發的星型電極的干法刻蝕設備。

 

產品特性 / Product characteristics

  4inch晶圓可放置7片同時處理,6inch晶圓可實現3片同時處理,小尺寸晶圓方面,2inch晶圓可實現29片、3英寸可對應12片同時處理。

 搭載了在化合物半導體領域擁有600臺以上出貨實績的有磁場ICP(ISM)高密度等離子源。

 高生產性(比以前提高140%)。

  為防止RF投入窗的污染待在了愛發科獨自開發的星型電極。

 *貫徹Depo對策,實現了維護便利、長期穩定、高信賴性的硬件。

 擁有豐富的工藝應用的干法刻蝕技術(GaN藍寶石、各種metal、ITO、SiC、AlN、ZnO、4元系化合物半導體)。

 豐富的可選機能。

 

產品應用 / Product application

對應LED的GaN、藍寶石、各種金屬、ITO等的干法刻蝕設備

 

對應光學器件、MEMS制造的干法刻蝕裝置NLD-5700

 

對應光學器件、MEMS制造的干法刻蝕裝置NLD-5700是搭載了磁性中性線(NLD- neutral loop discharge)等離子源的量產用干法刻蝕裝置。(此愛發科獨chuang的NLD技術設備可實現產生低壓、低電子溫度、高密度的等離子)

 

產品特性 / Product characteristics

 •      在潔凈房內作業可擴張為雙腔。(可選配腔室:NLD、有磁場ICP、CCP或者去膠室)

NLD為時間空間可控的等離子,因此設備干法清潔容易。

腔體維護簡便。

從掩模刻蝕到石英、玻璃刻蝕,可提供各類工藝解決方案。

專門的半導體技術研究所會提供萬全的工藝支持體制。

 

產品應用 / Product application

光學器件(折射格子、光波導、光學開關等等)、凹凸型微透鏡。

流體路徑作成或光子學結晶。

 

 

批處理式自然氧化膜去除設備 RISE-300

批處理式自然氧化膜去除設備RISETM-300是用于去除位于LSI的Deep-Contact底部等難以去除的自然氧化膜的批處理式預清洗裝置。可處理200mm,300mm尺寸晶圓。

 

產品特性 / Product characteristics

高產率以及低CoO

良好的刻蝕均一性(小于±5%/批)和再現性

干法刻蝕

Damage-Free(遠端等離子、低溫工藝)

自對準接觸電阻僅為濕法的1/2

靈活的裝置布局

高維護性(方便的側面維護)

300mm晶圓批處理:50枚/批

 

產品應用 / Product application

自對準接觸形成工藝前處理

電鍍工藝前處理

晶膜生長前處理

Co/Ni自對準多晶硅化物的前處理



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