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非極性GaN晶體基片
  • 非極性GaN晶體基片
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具體成交價以合同協議為準
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  • 品牌
  • 型號
  • 廠商性質 生產商
  • 所在地 合肥市
屬性

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更新時間:2024-10-22 13:59:58瀏覽次數:2078評價

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非極性GaN晶體基片


產品名稱:

非極性氮化鎵(GaN)晶體基片

技術參數:

晶體定位面:

A plane <11-20>+/-1;M plane <1-100>+/-1°.

傳導類型:

N型;半絕緣型

電阻率:

R<0.5 Ω.cm;R>106Ω.cm

表面粗糙度:

<0.5nm

位錯密度:

<5x106Ω.cm

可用表面積:

>90%

TTV:

≤15um;


產品規格:

常規尺寸:10x5x0.5mm;

厚度公差:+/-0.05mm;

注:可按照客戶要求加工尺寸及方向。

標準包裝:

1000級超凈室100級超凈袋

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