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輸入電源

• 220VAC 50/60Hz, 單相
• 800W  (包括真空泵）

等離子源

一個300W，13.5MHz的射頻電源安裝在移動柜內

(點擊圖片查看詳細資料）

磁控濺射頭

• 一個 2英寸磁控濺射頭（帶有水冷夾層），采用快速接頭與真空腔體相連接
• 靶材尺寸: 直徑為50mm,zui大厚度6.35mm
• 一個快速擋板安裝在法蘭上（手動操作，見圖左3）
• 濺射頭所需冷卻水：流速10ml/min（儀器中配有一臺流速為16ml/min的循環水冷機）
• 同時可選配1英寸濺射頭
  

真空腔體

• 真空腔體：160 mm OD x 150 mm ID x  250mm H，采用高純石英制作
• 密封法蘭:直徑為165 mm .  采用金屬鋁制作，采用硅膠密封圈密封
• 一個不銹鋼網罩住整個石英腔體，以屏蔽等離子體
• 真空度：10-3 Torr （采用雙極旋片真空泵）
•         10-5 torr （采渦旋分子泵）

載樣臺

• 載樣臺可旋轉（為了制膜更加均勻）并可加熱
• 載樣臺尺寸：直徑50mm （zui大可放置2英寸的基片）
• 旋轉速度：1 - 20 rpm
• 樣品的zui高加熱溫度為700℃，(短期使用，恒溫不超過1小時)，長期使用溫度500℃
• 控溫精度+/- 10℃
  

真空泵

可選用直聯式雙極旋片泵,也可選用德國制作的分子泵系統

薄膜測厚儀

• 一個精密的石英振動薄膜測厚儀安裝在儀器上，可實時監控薄膜的厚度，分辨率為0.10 ?  
• LED顯示屏顯示，同時也輸入所制作薄膜的相關數據
  

外形尺寸

質保和質量認證

• 一年質保期，終生維護
• CE認證

使用注意事項

• 這款2英寸的射頻濺射鍍膜儀主要是用于在單晶基片上制備氧化物膜，所以并不需要太高的真空度
• 為了較好地排出真空腔體中的氧氣，建議用5%H2+95 %N2對真空腔體清洗，可有效減少真空腔體中的氧含量
• 請用純度大于5N的Ar來進行等離子濺射，甚至5N的Ar中也含有10- 100 ppm的氧和水，所以建議將鋼瓶中的惰性氣體通過凈化系統過后，再導入到真空腔體內