AC法熱擴(kuò)散率測(cè)量系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)：
1.交流電源：激光二極管（波長(zhǎng)685nm，輸出功率30mW）

2.照射位置：±3000μm，步長(zhǎng)1μm；

3.頻率：0.1~20Hz

4.熱擴(kuò)散系數(shù)測(cè)量精度：±5%

（測(cè)量一個(gè)獨(dú)立的樣品）

5.樣品尺寸：L 30mm，W 2.5~5mm  t 3~500μm  t 100~1000nm（基板上的薄膜）

樣品厚度的*值取決于其熱導(dǎo)率；

6.熱電偶類(lèi)型：E型熱電偶；

7.測(cè)試氣氛：真空（＜0.02Pa），大氣；

8.溫度范圍：室溫（R type） 室溫-200℃（M2 type）

9.接口：RS232C

10.電源要求：AC100V，15A；

11.外形尺寸：W 350 x D 500 x H 330 (mm) 主機(jī)，不包含突出部分；

AC法熱擴(kuò)散率測(cè)量系統(tǒng)應(yīng)用：

1. 測(cè)量高導(dǎo)熱薄板的材料的熱擴(kuò)散系數(shù)；（厚度＜500μm）CVD金剛石、氮化鋁等；

2. 測(cè)量金屬薄板的熱擴(kuò)散系數(shù)；（厚度＜5μm）銅、鎳、不銹鋼等；

3. 測(cè)量低導(dǎo)熱系數(shù)材料的熱擴(kuò)散率；（厚度＜50μm）玻璃、樹(shù)脂材料等；

4. 測(cè)量各向異性的石墨片的熱擴(kuò)散系數(shù)；（厚度＜100μm）聚酰亞胺及聚合物薄膜如PET;（厚度＜5μm）

5. 測(cè)量沉積在基片上的氮化鋁及氧化鋁薄膜的熱擴(kuò)散系數(shù)；

6. 測(cè)量沉積在玻璃基板上的DLC薄膜的熱擴(kuò)散系數(shù)；

7. 測(cè)量沉積在PET基板上的有機(jī)顏料薄膜；

8. 評(píng)估各種濺射靶材料；

※測(cè)量的條件可能跟樣品的材料和物理性質(zhì)改變，上述提及的是一個(gè)寬泛的標(biāo)準(zhǔn)；
測(cè)量薄膜的導(dǎo)熱系數(shù)（示差法）

沉積在基板上薄膜的熱導(dǎo)率可以通過(guò)測(cè)量基板上同一面的鍍膜區(qū)和非鍍膜區(qū)的熱擴(kuò)散系數(shù)來(lái)得到。影響薄膜熱導(dǎo)率的因素有：

鍍膜區(qū)與非鍍膜區(qū)的測(cè)量結(jié)果；

測(cè)量基板的厚度及其體積比熱容；

薄膜的厚度及其體積比熱容；