MBE-MoSe2/MoS2/WS2/WSe2三角形單晶材料
西安齊岳生物供應一系列的納米材料,供應MBE-MoSe2三角形單晶、MBE-MoS2三角形單晶、MBE-WS2三角形單晶、MBE-WSe2三角形單晶、CVD-WS2-WSe2面內異質結、CVD-多層BN薄膜、CVD-MOS2 連續薄膜、CVD-MoS2少層薄膜、CVD-單層BN薄膜、MOS2/WS2異質結、MOS2/WSe2異質結、CVD-三維鎳基BN泡沫、M1相二氧化釩VO2單晶薄膜、三氧化二釩V2O3單晶薄膜、分子束外延生長MoSe2單分子膜等材料。
MBE-MoSe2/MoS2/WS2/WSe2三角形單晶材料
分子束外延生長MoSe2單分子膜。MBE是一種用于單晶質量薄膜沉積的外延方法,與化學氣相沉積(CVD)或金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)相比,它具有較高的結晶度和較低的缺陷密度(見下面的HRTEM圖像)。MoSe2單分子膜的MBE生長是在基底壓力為8E-9torr的MBE室中進行的,沉積速率慢(每秒5-100個原子),以結構的。的MBE生長在雙面拋光c切藍寶石上產生單層厚MoSe2孤立三角形。目前,MBE MoSe2在藍寶石襯底上提供,但在不久的將來,我們的MBE襯底還將包括云母、石墨和金。
相關產品;
德國2DNext大面積機械剝離2L/3L材料(WSe2, WS2, MoS2, MoSe2)尺寸>100*100um
德國2DNext大面積機械剝離2L/3L材料(WSe2, WS2, MoS2, MoSe2)尺寸>75*75um
德國2DNext大面積機械剝離2L/3L材料(WSe2, WS2, MoS2, MoSe2)尺寸>50*50um
基于SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜(8片裝)
基于SiO2/Si晶片的雙層CVD石墨烯薄膜(4片裝)
大面積機械剝離單層材料套裝(WSe2, WS2, MoS2, MoSe2在同一基底上)尺寸>50*50um
Defects Engineered CVD Grown 2D layers
CVD缺陷生長二維層
Transferred CVD Grown MX2 monolayers
CVD轉移生長MX2單分子膜
Exfoliated WSe2 monolayer
機械剝離單層二硒化鎢薄膜
Exfoliated WS2 monolayer
機械剝離單層二硫化鎢薄膜
Exfoliated ReSe2 monolayer
機械剝離單層二硒化錸薄膜
Exfoliated MoSe2 monolayer
機械剝離單層二硒化鉬薄膜
Exfoliated MoS2 monolayer
機械剝離單層二硫化鉬薄膜
大面積機械剝離單層材料(WSe2, WS2, MoS2, MoSe2)尺寸>100*100um
大面積機械剝離單層材料(WSe2, WS2, MoS2, MoSe2)尺寸>75*75um
大面積機械剝離單層材料(WSe2, WS2, MoS2, MoSe2)尺寸>50*50um
定制單層二硫化鉬-帶電極
指南:
1.提供的產品的單價,產品規格,型號,價格條款,原產地
2.提供樣品,小訂貨量,交貨期,包裝方式,質量/;
3.提供使用說明書、核磁圖譜、合成路線;制備方案、合成步驟等信息請咨詢客服。
溫馨提醒:用于科研哦(zhn2020.05.14)