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MBE-MoSe2/MoS2/WS2/WSe2三角形單晶材料

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更新時間:2020-05-14 15:21:40瀏覽次數:355次

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MBE-MoSe2/MoS2/WS2/WSe2三角形單晶材料
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MBE-MoSe2/MoS2/WS2/WSe2三角形單晶材料

分子束外延生長MoSe2單分子膜。MBE是一種用于單晶質量薄膜沉積的外延方法,與化學氣相沉積(CVD)或金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)相比,它具有較高的結晶度和較低的缺陷密度(見下面的HRTEM圖像)。MoSe2單分子膜的MBE生長是在基底壓力為8E-9torr的MBE室中進行的,沉積速率慢(每秒5-100個原子),以結構的。的MBE生長在雙面拋光c切藍寶石上產生單層厚MoSe2孤立三角形。目前,MBE MoSe2在藍寶石襯底上提供,但在不久的將來,我們的MBE襯底還將包括云母、石墨和金。

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