CVD-Sb2Te3/MoSe2單層雙層多層二硒化鉬薄膜

西安齊岳生物供應一系列的納米材料，供應MBE-MoSe2三角形單晶、MBE-MoS2三角形單晶、MBE-WS2三角形單晶、MBE-WSe2三角形單晶、CVD-WS2-WSe2面內異質結、CVD-多層BN薄膜、CVD-MOS2 連續薄膜、CVD-MoS2少層薄膜、CVD-單層BN薄膜、MOS2/WS2異質結、MOS2/WSe2異質結、CVD-三維鎳基BN泡沫、M1相二氧化釩VO2單晶薄膜、三氧化二釩V2O3單晶薄膜、分子束外延生長MoSe2單分子膜等材料。

CVD-Sb2Te3/MoSe2單層雙層多層二硒化鉬薄膜

了尋找優化的實驗條件得到大面積且高晶體質量的二維過渡金屬硫族化合物(two-dimensional transition metal dichalcogenides,2DTMDCs)薄膜材料,選擇用化學氣相沉積(chemical vapor deposition,CVD)法,通過不斷優化實驗參量,制備出了單層MoSe2薄膜,并利用Raman光譜及光致發光光譜對樣品的層數和帶隙寬度進行表征.通過大量實驗發現,在用CVD法制備單層MoSe2薄膜時,實驗的初始壓強及襯底與前驅體的距離會影響樣品的生長.于是通過對比實驗,探究了起始壓強及襯底與前驅體的距離對單層MoSe2薄膜生長的影響.得到了優化的壓強及襯底與前驅體的距離.

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溫馨提醒：用于科研哦（zhn2020.05.14）