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微波探測的光感應電流瞬態(tài)圖譜檢測，非接觸且無損傷，用于溫度依賴的少數載流子壽命測量以及半導體的界面陷阱和體陷阱能級的電性能表征。
產品介紹：
微波探測的光感應電流瞬態(tài)圖譜檢測，非接觸且無損傷，用于溫度依賴的少數載流子壽命測量以及半導體的界面陷阱和體陷阱能級的電性能表征。MDpicts將在半導體材料的基礎研究與開發(fā)領域取得普遍的應用。
設備特點：
靈敏度：對半導體材料電學缺陷有很高的靈敏度
溫度范圍：液氮（77k）至500k。可選：液氦（4k）或更高溫度
衰減常數范圍：20納秒到幾毫秒
沾污檢測：電學陷阱基本性能確定：激發(fā)性能和陷阱的俘獲截面，受溫度和注入水平影響的少子壽命參數等
重復性：> 99.5%，測量時間：< 60分鐘。液氮消耗：2升/次
靈活性：從365 nm 到1480nm，根據不同材料選擇不同波長激發(fā)光源
可訪問性：基于IP的系統(tǒng)允許來自世界任何地方的遠程操作和技術支持
圖1.與溫度有關的載流子發(fā)射瞬態(tài)
圖2.不同缺陷的評價
從Arrhenius斜率（圖3）可以確定活化能
圖3.阿倫尼烏斯曲線圖
利用這種新型MDPpicts設備，可在20~500k范圍內測量溫度依賴性的瞬態(tài)光電導。
Si， GaAs， InP， SiC和其他很多半導體材料已成功采用了這種方法進行研究。
圖4.不同溫度的Cz-Si晶圓片的MD-PICTS圖譜
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