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液體體積 | 納升至皮升級 |
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高分辨率
MEMS微加工工藝,使電化學(xué)芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜厚度最薄可達10nm,極大減少了對電子束的干擾,液相環(huán)境可達到納米級分辨率。
高安全性
1.市面常見的其他品牌液體樣品桿,由于受自身液體池芯片設(shè)計方案制約,只能通過液體泵產(chǎn)生的巨大壓力推動大流量液體流經(jīng)樣品臺及芯片外圍區(qū)域,有液體大量泄露的安全隱患。其液體主要靠擴散效應(yīng)進入芯片中間的納米孔道,芯片觀察窗里并無真實流量流速控制。
2.采用納流控技術(shù),通過壓電微控系統(tǒng)進行流體微分控制,實現(xiàn)納升級微量流體輸送,原位納流控系統(tǒng)及樣品桿中冗余的液體量僅有微升級別,有效保證電鏡安全。
3.采用高分子膜面接觸密封技術(shù),相比于o圈密封,增大了密封接觸面積,有效減小滲漏風(fēng)險。
4.采用超高溫鍍膜技術(shù),芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜具有耐高溫低應(yīng)力耐壓耐腐蝕耐輻照等優(yōu)點。
優(yōu)異熱學(xué)性能
1.高精密紅外測溫校正,微米級高分辨熱場測量及校準(zhǔn),確保溫度的準(zhǔn)確性。
3.超高頻控溫方式,排除導(dǎo)線和接觸電阻的影響,測量溫度和電學(xué)參數(shù)更精確。
3.采用高穩(wěn)定性貴金屬加熱絲(非陶瓷材料),既是熱導(dǎo)材料又是熱敏材料,其電阻與溫度有良好的線性關(guān)系,加熱區(qū)覆蓋整個觀測區(qū)域,升溫降溫速度快,熱場穩(wěn)定且均勻,穩(wěn)定狀態(tài)下溫度波動≤±0.1℃。
4.采用閉合回路高頻動態(tài)控制和反饋環(huán)境溫度的控溫方式,高頻反饋控制消除誤差,控溫精度±0.01 ℃。
5.多級復(fù)合加熱MEMS芯片設(shè)計,控制加熱過程熱擴散,極大抑制升溫過程的熱漂移,確保實驗的高效觀察。
智能化軟件和自動化設(shè)備
1.人機分離,軟件遠(yuǎn)程控制實驗條件,全程自動記錄實驗細(xì)節(jié)數(shù)據(jù),便于總結(jié)與回顧。
2.自定義程序升溫曲線??啥x10步以上升溫程序、恒溫時間等,同時可手動控制目標(biāo)溫度及時間,在程序升溫過程中發(fā)現(xiàn)需要變溫及恒溫,可即時調(diào)整實驗方案,提升實驗效率。
3.內(nèi)置絕對溫標(biāo)校準(zhǔn)程序,每塊芯片每次控溫都能根據(jù)電阻值變化,重新進行曲線擬合和校正,確保測量溫度精確性,保證加熱實驗的重現(xiàn)性及可靠性。
4.全流程配備精密自動化設(shè)備,協(xié)助人工操作,提高實驗效率。
團隊優(yōu)勢
1.團隊帶頭人在原位液相發(fā)展初期即參與研發(fā)并完善該方法。
2.獨立設(shè)計原位芯片,掌握芯片核心工藝,擁有多項芯片patent。
3.團隊20余人從事原位液相研究,可提供多個研究方向的原位實驗技術(shù)支持。
類別 | 項目 | 參數(shù) |
基本參數(shù) | 臺體材質(zhì) | 高強度鈦合金 |
液層厚度 | 納米至微米(可定制) | |
氮化硅膜 | 10nm,20nm,50nm(可定制) | |
液體體積 | 納升至皮升級 |
Electrochemical dissolution
Electrochemical deposition
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