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技術指標＼型號名稱

DT-Si200 紫敏硅探測器

DT-Si300 藍光增強型硅探測器

進口紫外增強型

進口藍光增強型

有效接收面積(mm2)

100(Φ11.28)

100(Φ11.28)

波長使用范圍(nm)

200-1100

350-1100

峰值波長(nm)，典型值

820nm

970nm

峰值波長響應度(A/W)

0.52

0.60(>0.55)

典型波長的響應度(A/W)

0.14(>0.09)@254nm

0.20(>0.15)@410nm

響應時間(μs)

5.9

2

工作溫度范圍(℃)

-10～+60

-10～+60

儲存溫度范圍(℃)

-20～+70

-20～+70

分流電阻RSH(MΩ)

10(>5)

(>10)

等效噪聲功率NEP(W/√Hz)

4.5×10-13

2.0×10-13

*大操作電流(mA@0V bias)

0.1

10.0

結電容(pf@0V bias)

4500

8800

信號輸出模式

電流

電流

輸出信號極性

正（P）

正（P）