PCL納米纖維網格膜片300nm-昊然

靜電紡絲技術是目前制備納米纖維重要的基本方法。這一技術的核心是使帶電荷的高分子溶液或熔體在靜電場中流動并發生形變,然后經溶劑蒸發或熔體冷卻而固化，于是得到纖維狀物質，這一過程簡稱電紡。

PCL納米纖維網格膜片300nm-昊然

PCL納米纖維網格膜片300nm（厚度：1000um）（直徑：3/8cm）（網格空隙：400um）

電紡方法中納米纖維材料在收集器表面因重力和黏性的作用橫截面將從圓形變為橢圓形.定義AFM的測量結果為垂直直徑,SEM的測量結果為水平直徑,研究了電壓和濃度兩個重要參數對電紡方法制備PCL納米纖維平均直徑的影響,并得到了質量分數為10%的PCL溶液制備的納米纖維,并且其水平直徑為垂直直徑的1.5倍.

多孔薄膜PLGA納米纖維200nm（厚度：200/500）um或1cm

多孔薄膜PCL納米纖維500nm（厚度：200/500）um或1cm

多孔薄膜PCL納米纖維200nm（厚度：100/200/500）um或1cm

開放式孔構薄膜PLA納米纖維500nm（厚度：200/500）um或1cm

開放式孔構薄膜PLA納米纖維200nm（厚度：200/500）um或1cm

PS納米纖維網格濾片150nm（厚度：600um）（直徑3/8cm）（網格空隙：200um）

PS納米纖維網格濾片300nm（厚度：1000um）（直徑3/8cm）（網格空隙：400um）

PS納米纖維薄膜網格濾片150nm（厚度：1cm）（網格空隙：200um）

PS納米纖維薄膜網格濾片300nm（厚度：1cm）（網格空隙：400um）

PS納米纖維內嵌網格濾片150nm（厚度：600um）（孔數：6/12/24/48/96）（網格空隙：200um）

PLGA納米纖維網格膜片150nm（厚度：600um）（直徑：3/8cm）（網格空隙：200um）

PLGA納米纖維網格膜片300nm（厚度：1000um）（直徑：3/8cm）（網格空隙：400um）

PLGA納米纖維內嵌網格膜片150nm（厚度：600um）（孔數：6/12/24/48/96）（網格空隙：200um）

PLA納米纖維網格膜片150nm（厚度：600um）（直徑：3/8cm）（網格空隙：200um）

PLA納米纖維網格膜片300nm（厚度：1000um）（直徑：3/8cm）（網格空隙：400um）

PLA納米纖維薄膜網格膜片150nm（網格空隙：200um）

PCL納米纖維網格膜片150nm（厚度：600um）（直徑：3/8cm）（網格空隙：200um）

PCL納米纖維薄膜網格膜片300nm（網格空隙：400um）

PCL納米纖維內嵌網格膜片150nm（厚度：600um）（孔數：6/12/24/48/96）（網格空隙：200um）

溫馨提示：以上產品僅用于科研，不用于人體（ZN2021.07）