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目錄:筱曉(上海)光子技術有限公司>>光電探測器>>InGaAs銦鎵砷光電二極管>> 高速銦鎵砷PIN光電二極管 800-2600nm TO-39封裝

高速銦鎵砷PIN光電二極管 800-2600nm TO-39封裝
  • 高速銦鎵砷PIN光電二極管 800-2600nm TO-39封裝
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具體成交價以合同協議為準
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  • 型號
  • 廠商性質 經銷商
  • 所在地 上海市
屬性

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更新時間:2024-12-07 16:08:30瀏覽次數:903評價

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產地類別 進口 價格區間 面議
應用領域 化工,建材,電子 組成要素 半導體激光器產品及設備
高速InGaAs PIN光電二極管 600-1750nm TO-39封裝
總覽

靈敏度波長范圍為800nm ~2600nm 的MTPD260T8-300是一個高靈敏度和高可靠性的產品系列, 非常適合于光通信設備。客戶可以定制封裝形式。

高速銦鎵砷PIN光電二極管 800-2600nm TO-39封裝,高速銦鎵砷PIN光電二極管 800-2600nm TO-39封裝
通用參數

特點

響應速度快

TO-39封裝

有效面積3.0mmФ/高靈敏度

光譜范圍800nm-2600nm


應用

高速光通信

工業控制

分析氣體/水

激光測距

醫療


絕對最大額定參數 (Ta=25oC)

參數符號主要指標單位

有效光敏面直徑

Ф

3.0mm

工作溫度范圍

Topr

40 to +85

oC

儲存溫度范圍

Tstg

40 to +125

oC



光電參數 (Ta = 25oC)

參數

符號

條件

MIN

典型值

MAX

單位

擊穿電壓

VR

IR=10uA

--

--

1

V

靈敏度范圍

λ

VR=0V

800

--

2600

nm

暗電流

ID

VR=0V

--

80

--

nA

暗電流

ID

VR=1V

--

770

--

uA

響應度

R

λ=2400nm

--

1.24

--

A/W

分流電阻

Shunt Resistance

RS

VR=10mV

--

0.5

--

kOhm

量子效率

QE

λ=1840nm

--

72

--

%

電容

C

VR =0V

--

3100

--

pF

電容

C

VR =1V

--

500

--

pF



封裝尺寸



單位: mm, 誤差: ±0.2


光譜響應曲線


量子效率曲線




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