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艾賽斯模塊總代IGBT模塊功率模塊半導體模塊，IGBT是第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例...

SKKE系列西門康模塊功率半導體電子元器件，SEMISTACK CLASSIC產品系列設計用于工業整流器和交流控制器的快速集成。每個功率組件都已明確規格，以便嵌...

艾賽斯MOS管模塊在導通和截止的時候，MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內，MOS管的損失時電壓和電流的乘積，叫做開關損失...

SK100WT08/12/16西門康模塊 整流橋 整流器。整流橋又叫橋堆，由2個或者是4個二極管構成的整流器件，這種橋堆主要包含半橋與全橋兩類，半橋又可以分為正...

MOS晶體管模塊艾賽斯IXYS，IXYS成立于1983年,是一家總部位于德國并在美國納斯達上市的世界著名半導體生產商，公司致力于提高效率,降低能耗的功率半導體產...

英飛凌模塊單開關 IGBT模塊3300V 1500A，IHV B 3300 V 1500 A 190 mm 單開關 IGBT 模塊，具有第三代 TRENCHST...

英飛凌INFINEON整流橋模塊，英飛凌是半導體科技公司，致力于打造一個更加便利、安全和環保的世界。我們提供全面的半導體解決方案，實現高效的能源管理、智能出行以...

英飛凌INFINEON二極管模塊，英飛凌是半導體科技公司，致力于打造一個更加便利、安全和環保的世界。我們提供全面的半導體解決方案，實現高效的能源管理、智能出行以...

晶閘管模塊英飛凌INFINEON，英飛凌是半導體科技公司，致力于打造一個更加便利、安全和環保的世界。我們提供全面的半導體解決方案，實現高效的能源管理、智能出行以...

整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉變為直流電的半導體器件。二極管最重要的特性就是單方向導電性。在電路中，電流只能從二極管的正極流入，...

快恢復二極管的內部結構與普通二極管不同，它是在P型、N型硅材料中間增加了基區I，構成P-I-N硅片。由于基區很薄，反向恢復電荷很小，不僅大大減小了trr值，還降...

快恢復二極管是指反向恢復時間很短的二極管（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結構上有采用PN結型結構，有的采用改進的PIN結構。其正向壓降高于普通二極管（1-...

快恢復二極管的內部結構與普通PN結二極管不同，它屬于PIN結型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區I，構成PIN硅片。因基區很薄，反向恢復電荷很小，...

快恢復二極管（簡稱FRD）是一種具有開關特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極管，主要應用于開關電源、PWM脈寬調制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、...

可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現...

可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此功率，因元件開關損可控硅的優點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍；反應極快，在微秒級內...

IGBT發展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標的，特別是發展高壓變頻器的應用，簡化其主電路，減少使用器件，提高可靠性，降低制造成本，簡化...

IGBT是第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關電源等。問世有十年多歷史...

在供電系統中，MOS管的主要作用的是穩壓。MOS管芯片在制作完成之后，需要給MOSFET芯片加上一個外殼，即MOS管封裝。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護、...

MOS管導通特性，導通的意義是作為開關，相當于開關閉合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適宜用于源極接地時的情況（低端驅動），只需柵極電壓抵達4V或...