目錄:北京鴻瑞正達科技有限公司>>薄膜材料生長成套設備>> 高真空快速CVD系統OTF-1200X-4-RTP-C3HV
產品簡介： 高真空快速 CVD 系統 OTF-1200X-4-RTP-C3HV 是由 4″RTP 爐、三通道混氣系統和高真空機組 組成，可進行半導體基片、太陽能電池及其它樣品（尺寸可達 3″ ）的退火，并采用 10KW 的紅外燈進行加 熱，升溫速度可達 120℃/s，配有 RS485 接口，可以通過控制軟件在計算機上控制運行并顯示溫度曲線。
產品型號 | 高真空快速 CVD 系統 OTF-1200X-4-RTP-C3HV |
安裝條件 | 本設備要求在海拔 1000m 以下， 溫度 25℃±15℃ ，濕度 55%Rh±10%Rh 下使用。 |
1、水：不需要 | |
2、電： AC220V 50Hz，必須有良好接地 | |
3、氣：設備腔室內需充注氣體，需自備氣瓶氣源 | |
4、工作臺： 尺寸 1600mm×600mm×700mm ，承重 150kg 以上 5、通風裝置：需要 | |
主要特點 | 1 、雙層 Al2O3 纖維鋼構，無需水冷或風冷。 |
2、內爐膛表面涂有進口高溫氧化鋁涂層，可以提高設備的加熱效率及延長儀器的使用壽命。 | |
3 、PID 控制器， 可以設置 30 段升降溫程序，并設有過熱保護和斷偶功能。 | |
4 、已通過 CE 認證。 | |
技術參數 | 1 、電源： 單相 208V-240V AC 50Hz/60Hz 10KW |
2、石英管： 外徑 ?110mm ，內徑 ?103mm ，長 380mm | |
3、加熱元件： 8 根紅外燈管， 燈絲長 200mm ，絲圈 ?10mm ，燈長 300mm |
4、加熱區： 300mm 5 、工作溫度： 溫度 1100℃ | |
6 、控溫精度：±0.5℃ 7、升溫速度： RT-800℃時為 50℃/s ，800℃-1000℃時為 10℃/s 8、溫控儀：可控硅（ SCR）PID 自動控制 9 、真空法蘭： 不銹鋼，帶有水冷接口和針閥，雙層高溫 O 型圈密封，長時間在>900℃條件下 運行必須采用水冷， 循環水流量為 0.5m3/hr 10、真空度： 10-2torr （機械泵）， 10-5torr （分子泵） 11 、質量流量計： 3 個， MFC1 范圍0-100sccm ，MFC2 范圍0-200sccm ，MFC3 范圍0-500sccm， 精度 1±%FS 12、混氣罐： ?80mm×120mm | |
產品規格 | 尺寸： 爐體 760mm×330mm×530mm ，真空混氣系統 600mm×600mm×597mm 重量： 爐體 45kg ，真空混氣系統 75kg |
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