目錄:北京鴻瑞正達科技有限公司>>薄膜材料生長成套設備>> 快速升溫CVD系統RTP-1000-F3LV
產品簡介: 快速升溫 CVD 系統 RTP-1000-F3LV 是專為半導體基片、太陽能電池及其它樣品(尺寸可達
3″ )的退火而設計, 配有 3 路流量計和機械泵。本機采用 9KW 的紅外燈進行加熱, 升溫速度可達
100℃/s ,配有 RS485 接口,可以通過控制軟件在計算機上控制運行并顯示溫度曲線。
產品型號 | 快速升溫 CVD 系統 RTP-1000-F3LV |
安裝條件 | 本設備要求在海拔 1000m 以下, 溫度 25℃±15℃ ,濕度 55%Rh±10%Rh 下使用。 |
1、水:不需要 | |
2、電: AC220V 50Hz,必須有良好接地 | |
3、氣:設備腔室內需充注氣體,需自備氣瓶氣源 | |
4、工作臺: 尺寸 600mm×600mm×700mm ,承重 50kg 以上 5、通風裝置:需要 | |
主要特點 | 1 、雙層 Al2O3 纖維鋼構,無需水冷或風冷。 |
2、內爐膛表面涂有進口高溫氧化鋁涂層,可以提高設備的加熱效率及延長儀器的使用壽命。 | |
3 、PID 控制器 ,可以設置 30 段升降溫程序,并設有過熱保護和斷偶功能。 | |
4 、已通過 CE 認證。 | |
技術參數 | 1 、電源: 單相 208V-240V AC 50Hz/60Hz 9KW |
2、石英管: 外徑 ?110mm ,內徑 ?103mm ,長 380mm | |
3、加熱元件:紅外燈管, 直徑 ?10mm ,長 300mm | |
4、加熱區: 300mm |
5 、工作溫度: 溫度 1100℃ | |
6 、控溫精度:±0.5℃ | |
7、升溫速度: RT-800℃時為 50℃/s ,800℃-1000℃時為 10℃/s | |
8、溫控儀:可控硅( SCR)PID 自動控制 | |
9 、真空法蘭: 不銹鋼,帶有水冷接口和針閥,雙層高溫 O 型圈密封,長時間在>900℃條件下 運行必須采用水冷, 循環水流量為 0.5m3/hr | |
10、真空度: 10-3torr | |
11、流量計: 3 個, 量程 40cc/min-400cc/min ,精度 4%FS | |
產品規格 | 尺寸: 爐體 760mm×330mm×530mm ,真空混氣系統 600mm×600mm×597mm |
重量: 爐體 45kg ,真空混氣系統 30kg | |
可選配件 | 防腐型數字式真空顯示計 |