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詳細介紹
n型有機半導體材料
PhC2-BQQDI和PhC3-BQQDI
本產品為n型有機半導體材料，其具有優異的大氣穩定性和電子遷移速度。
n型有機半導體材料PhCn-BQQDI，無論采用真空沉積法，還是涂布法，均可形成再現性良好的成膜，但C2體（n=2）適合涂布法，而C3體（n=3）適合氣相沉積法。
◆基本信息
PhC2-BQQDI | PhC3-BQQDI | |
名稱 | benzo[de]isoquinolino[1,8-gh]quinoline diimide（BQQDI）在骨架的亞胺基的氮原 子上連有苯乙基（-C2H4Ph）。 | benzo[de]isoquinolino[1,8-gh]quinoline diimide（BQQDI）在骨架的亞胺基團的氮 原子上連有苯丙基（-C3H6Ph）。 |
結構式 |
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實物圖 |
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包裝 | 氬氣填充 | |
外觀 | 紅色~紅棕色，結晶性粉末~粉末 | |
◆特點
可用于氣相沉積法和涂布法的高性能n型有機半導體材料。
■ 高遷移性
· 涂布結晶形成的單晶在大氣中的電子遷移速度為3 cm2/Vs
· 真空蒸鍍膜在大氣中的電子遷移速度超過0.6 cm2/Vs
■ 高穩定性
· 可在大氣中長期保持穩定，不受器件結構的影響
· 單晶有機薄膜晶體管（OFET）可維持半年以上，蒸鍍法OFET可維持一個月以上
· 遷移性降低率小于10%
■ 高耐性（PhC2-BQQDI）
· 在單晶OFET中，選擇任意基板，都具有超過150°C的高耐熱應力
· 良好的偏壓應力
◆數據
①PhC2-BQQDI
LUMO能級估算、大氣·熱穩定性評估
● 通過循環伏安法（Cyclic Voltammetry，簡稱CV），估計LUMO為?4.11 eV（4-Hep-BQQDI具有優異的溶解性）
● 通過熱重-差熱分析法（Thermogravimetry?Differential Thermal Analysis，簡稱TG?DTA），在421 °C下未觀察到
分解或相變的熱異常
● 大氣儲存下采用氣相沉積法形成的100 nm薄膜在1個月內的紫外-可見光（UV-Vis）光譜無變化。
團聚體結構
呈磚砌型團聚體結構，能夠觀察到相鄰BQQDI骨架之間的多分子相互作用，并可實現二維電荷傳輸。
PhC2-BQQDI的單晶OFET
元件結構 | 大氣下的輸出特性 |
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②PhC3-BQQDI
PhC3-BQQDI單晶結構與LUMO之間的轉移積分。
評估大氣中真空氣相沉積OTFT特性（通道長/寬=100 µm/1000 µm）
（a）OTFT結構圖
（b）PhC2-BQQDI和（c）PhC3-BQQDI在飽和區隨基板溫度變化的傳輸特性（漏極電壓：50 V）
藍線：室溫、綠線：100°C、紅線：180°C
（d）PhC2-BQQDI及（e）PhC3-BQQDI的遷移速度在大氣中的經時變化
③PhC2-BQQDI與PhC3-BQQDI
化合物 | 基板溫度 | 平均（最大）遷移速度 （cm2 V-1S-1）? | 平均閾值電壓 （V）? | 接觸電阻 （kΩ cm）? |
PhC2-BQQDI | 室溫 | 0.29（0.30） | 4.6 | 4.8±0.6 |
100°C | 0.54（0.54） | 3.3 | 5.8±0.5 | |
180°C | 0.64（0.65） | 3.5 | 4.7±0.4 | |
PhC3-BQQDI | 室溫 | 0.32（0.33） | 3.2 | 1.7±0.3 |
100°C | 0.51（0.53） | 1.4 | 4.3±0.6 | |
180°C | 0.65（0.70） | 2.5 | 3.2±0.5 |
?：在飽和區（漏極電壓=50 V）時評估
?：柵極電壓=50 V時的估算值
| 產品編號 | 產品名稱 | 產品規格 |
| 165-28601 | PhC2-BQQDI | 100 mg |
| 166-28871 | PhC3-BQQDI | 100 mg |
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