SENTECH ICP等離子沉積系統-SI 500D

是主流的半導體設備商，研發、制造和銷售良好的薄膜測量儀器（反射儀、橢偏儀、光譜橢偏儀）和等離子工藝設備（等離子刻蝕機、等離子沉積系統、用戶定制系統）。

SI 500D等離子沉積系統是ICP-PECVD設備，利用ICP高密度等離子源來沉積電介質薄膜。可在極低溫度下(< 100oC)沉積高質量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜。可以實現沉積薄膜厚度、折射率、應力的連續調節。

SI 500 D主要特點：

• 適用于8寸以及以下晶片

• 低溫沉積高質量電介質膜：80°C~350°C

• 高速率沉積

• 低損傷

• 薄膜特性 (厚度、折射率、應力) 連續可調

• 平板三螺旋天線式PTSA等離子源 (Planar Triple Spiral Antenna)

• SENTECH高級等離子設備操作軟件

• 穿墻式安裝方式

系統配置：