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北京瑞科中儀科技有限公司
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等離子蝕刻機(jī)Etchlab 200

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更新時(shí)間:2024-10-10 10:09:01瀏覽次數(shù):191次

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簡(jiǎn)要描述等離子蝕刻機(jī)Etchlab 200根據(jù)其模塊化設(shè)計(jì),可升級(jí)為更大的真空泵組,預(yù)真空室和更多的氣路。

低成本效益高

等離子蝕刻機(jī)Etchlab 200結(jié)合平行板等離子體源設(shè)計(jì)與直接置片。

升級(jí)擴(kuò)展性

根據(jù)其模塊化設(shè)計(jì),等離子蝕刻機(jī)Etchlab 200可升級(jí)為更大的真空泵組,預(yù)真空室和更多的氣路。

SENTECH控制軟件

等離子刻蝕機(jī)配備了用戶友好的強(qiáng)大軟件,具有模擬圖形用戶界面,參數(shù)窗口,工藝編輯窗口,數(shù)據(jù)記錄和用戶管理。

代表了直接置片家族,它結(jié)合了RIE的平行板電極設(shè)計(jì)和直接置片的成本效益設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)。Etchlab 200的特征是簡(jiǎn)單和快速的樣品加載,從零件到直徑為200mm或300mm的晶片直接加載到電極或載片器上。靈活性、模塊性和占地面積小是Etchlab 200 的設(shè)計(jì)特點(diǎn)。位于頂部電極和反應(yīng)腔體的診斷窗口可以方便地容納SENTECH激光干涉儀或OES和RGA系統(tǒng)。橢偏儀端口可用于SENTECH原位橢偏儀進(jìn)行原位監(jiān)測(cè)。

Etchlab 200等離子蝕刻機(jī)可以配置成用于刻蝕直接加載的材料,包括但不限于硅和硅化合物,化合物半導(dǎo)體,介質(zhì)和金屬。

Etchlab 200通過的SENTECH控制軟件操作,使用遠(yuǎn)程現(xiàn)場(chǎng)總線技術(shù)和用戶友好的通用用戶界面。

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主要基于等離子體的產(chǎn)生和應(yīng)用,其詳細(xì)原理可以歸納如下:### 一、等離子體產(chǎn)生* **氣體引入與電離**:在Etchlab 200等離子蝕刻機(jī)中,首先會(huì)向真空室內(nèi)引入適量的氣體(如氧氣、氟氣等),這些氣體在高頻電場(chǎng)的作用下被電離,形成等離子體。等離子體是由部分離化的中性氣體組成,其中包含離子、電子、原子和活性基團(tuán)等“活性"組分。* **加速過程**:產(chǎn)生的等離子體隨后被加速器加速,使其具有足夠的能量來撞擊材料表面。### 二、刻蝕過程* **物理刻蝕**:加速后的等離子體以高速撞擊材料表面,通過物理碰撞將表面的原子或分子擊出,這個(gè)過程稱為物理刻蝕。* **化學(xué)刻蝕**:同時(shí),等離子體中的活性組分(如離子、自由基等)與材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),進(jìn)一步促進(jìn)刻蝕過程。這些化學(xué)反應(yīng)可能包括氧化、還原、置換等,具體取決于所使用的氣體種類和材料性質(zhì)。### 三、刻蝕產(chǎn)物移除* 刻蝕過程中產(chǎn)生的產(chǎn)物會(huì)附著在材料表面,為了保持刻蝕的連續(xù)性和精度,需要將這些產(chǎn)物及時(shí)移除。Etchlab 200等離子蝕刻機(jī)通過引入適量的氣體(如惰性氣體)與刻蝕產(chǎn)物反應(yīng),形成易揮發(fā)的化合物,從而將刻蝕產(chǎn)物帶走。### 四、控制系統(tǒng)* Etchlab 200等離子蝕刻機(jī)配備了先進(jìn)的控制系統(tǒng),可以調(diào)整等離子體的能量、氣體流量等參數(shù),以精確控制刻蝕過程的速率和精度。此外,該系統(tǒng)還具備模擬圖形用戶界面、參數(shù)窗口、工藝編輯窗口等功能,方便用戶進(jìn)行工藝設(shè)置和監(jiān)控。### 五、應(yīng)用特點(diǎn)* **高精度**:由于等離子體的高能量和精確控制,Etchlab 200能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的微細(xì)結(jié)構(gòu)制造和加工



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